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【发明授权】C4N量子点材料及其制备方法、锂硫电池隔膜_中山大学_202111072168.X 

申请/专利权人:中山大学

申请日:2021-09-14

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN113851696B

主分类号:H01M10/0525

分类号:H01M10/0525;H01M50/403;H01M50/411;B82Y30/00;C01B21/082;C09K11/65

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.23#授权;2022.01.14#实质审查的生效;2021.12.28#公开

摘要:本发明涉及一种C4N量子点材料及其制备方法、锂硫电池隔膜。该C4N量子点材料通过C4N聚合物进行量子点化反应制备;所述C4N聚合物通过2,3,6,7,10,11‑六氨基三苯与环己六酮聚合制备。该C4N量子点材料能够有效吸附多硫化物,抑制其穿梭,进而有效提升锂硫电池的电池循环性能和电池倍率性能。

主权项:1.一种锂硫电池隔膜,其特征在于,包括载体膜以及负载在所述载体膜上的复合物;所述复合物通过C4N量子点材料与碳纳米管复合而成;所述C4N量子点材料的制备方法包括如下步骤:将2,3,6,7,10,11-六氨基三苯和环己六酮溶解于第一溶剂,制备第一反应液;混合所述第一反应液和酸,所得混合物进行除氧处理,然后进行聚合反应,制备C4N聚合物;将所述C4N聚合物进行煅烧,然后与酸液混合,进行第一次超声,取固体再与水混合,进行第二次超声;将第二次超声所得混合物在温度180℃~220℃下水热处理10h~15h,滤过,制备C4N量子点材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中山大学 C4N量子点材料及其制备方法、锂硫电池隔膜

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