申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2021-01-14

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113838885B

主分类号：H10B63/00

分类号：H10B63/00;H10N70/20

优先权：["20200624 KR 10-2020-0076993"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.01.11#实质审查的生效;2021.12.24#公开

摘要：本申请涉及电子装置及其制造方法，其中电子装置包括一种半导体存储器，半导体存储器包括：衬底，其包括单元区域、设置在单元区域两侧的第一外围电路区域和第二外围电路区域；第一线路，其延伸跨越单元区域和第一外围电路区域；第二线路，其设置在第一线路之上并且延伸跨越单元区域和第二外围电路区域；接触插塞，其设置在第二外围电路区域中并且连接到第二线路；第三线路，其设置在第二线路之上并且分别与第二线路交叠；以及第一存储单元，其设置在单元区域中并且在第一线路和第二线路之间位于第一线路和第二线路的相交处，其中第三线路的位于单元区域中的部分接触第二线路，并且第三线路的位于接触插塞之上的另一部分与第二线路间隔开。

主权项：1.一种电子装置，包括半导体存储器，所述半导体存储器包括：衬底，其包括单元区域、设置在所述单元区域的在第一方向上的第一侧的第一外围电路区域和设置在所述单元区域的在第二方向上的第二侧的第二外围电路区域，所述第二方向与所述第一方向交叉；多个第一线路，其设置在所述衬底之上并且在所述第一方向上延伸跨越所述单元区域和所述第一外围电路区域；多个第二线路，其设置在所述第一线路之上并且在所述第二方向上延伸跨越所述单元区域和所述第二外围电路区域；接触插塞，其设置在所述第二外围电路区域中并且具有耦接到所述第二线路的上表面；多个第三线路，其设置在所述第二线路之上并且分别与所述第二线路交叠；多个第四线路，其设置在所述第三线路之上并且分别与所述第一线路交叠；多个第一存储单元，其设置在所述单元区域中并且在所述第一线路和所述第二线路之间位于所述第一线路和所述第二线路的相交处；以及多个第二存储单元，其设置在所述单元区域中并且在所述第三线路和所述第四线路之间位于所述第三线路和所述第四线路的相交处，其中，所述第三线路的位于所述单元区域中的第一部分接触所述第二线路，以及所述第三线路的位于所述接触插塞之上的第二部分与所述第二线路间隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 电子装置及其制造方法

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