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新美光(苏州)半导体科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权

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龙图腾网获悉新美光(苏州)半导体科技有限公司申请的专利一种化学气相沉积设备的进气结构及化学气相沉积设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118653135B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411140992.8,技术领域涉及:C23C16/455;该发明授权一种化学气相沉积设备的进气结构及化学气相沉积设备是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成,并于2024-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

一种化学气相沉积设备的进气结构及化学气相沉积设备在说明书摘要公布了:本发明涉及一种化学气相沉积设备的进气结构及化学气相沉积设备,进气结构包括:第二进气管和第一进气管,第二进气管环绕第一进气管布置,使通入的保护性气体环绕于通入的待反应气体。通过本发明的进气结构及化学气相沉积设备,一方面,保护性气体的通入可以使第一进气管出气端位置的气体保持相较于反应腔室内部的微正压,减少反应腔室内部的沉积原子扩散至第一进气管出气端处反应沉积的情况,显著降低第一进气管出气端的堵塞概率;另一方面,保护性气体可以均匀的将反应气体包裹在内部,避免反应气体快速扩散,在尚未达到衬底位置处时就发生反应而形成固态颗粒,导致材料膜层生长不均匀的问题。

本发明授权一种化学气相沉积设备的进气结构及化学气相沉积设备在权利要求书中公布了:1.一种化学气相沉积设备,其特征在于,包括炉体(1)和进气结构(2);所述炉体(1)的内部形成反应腔室(1-1);所述进气结构(2)包括:第一进气管(2-2),用于向所述反应腔室(1-1)内通入待反应气体及其载气;第二进气管(2-1),用于向所述反应腔室(1-1)内通入保护性气体,所述第二进气管(2-1)环绕所述第一进气管(2-2)布置,使得所述保护性气体环绕包裹所述待反应气体;所述第二进气管(2-1)连接于所述炉体(1)的侧壁,所述第二进气管(2-1)的出气端凸出于所述炉体(1)的内壁,所述第二进气管(2-1)的出气端端面凸出于所述第一进气管(2-2)的出气端的端面;所述第一进气管(2-2)包括第一主体部分以及连接在所述第一主体部分一端的喷嘴(2-5),所述喷嘴(2-5)的内径部分小于所述主体部分的内径;所述喷嘴(2-5)内壁呈锥形,沿靠近所述反应腔室(1-1)的方向内径减小;所述第二进气管(2-1)包括第二主体部分以及连接在所述第二主体部分一端的延伸套筒(2-6),所述延伸套筒(2-6)形成所述第二进气管(2-1)的出气端;采用所述的化学气相沉积设备进行产品沉积的工艺包括以下步骤:S1,保护性气体通过保护气体进气接口(2-3)通入第二进气管(2-1)内,并排入反应腔室(1-1)内;S2,载气携带前驱体通过第一进气管(2-2)输送至反应腔室(1-1)内部;S2晚于S1进行。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人新美光(苏州)半导体科技有限公司,其通讯地址为:215200 江苏省苏州市工业园区群星三路10号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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