北京大学魏进获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008670B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411096087.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管是由魏进;余晶晶设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种具有双栅结构的p‑GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管，其包括：异质结构层，包括沟道层及与沟道层形成电子气沟道的势垒层，势垒层具有间隔设置的第一栅区和第二栅区；源极和漏极，经电子气沟道电气连接；p‑GaN栅极，设于第一栅区，且p‑GaN栅极的阈值电压为正值；副栅极，设于第二栅区；其中，副栅极对应的饱和电流不大于p‑GaN栅极对应的饱和电流；当达到p‑GaN栅极对应的饱和电压时，漏极具有第一电压；当达到与副栅极对应的饱和电压时，漏极具有第二电压；第二电压不大于第一电压。根据本申请的实施例能够避免具有双栅结构的p‑GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管发生误开启或者电子气沟道内的电流增大等问题。
本发明授权具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：异质结构层，包括沟道层及与所述沟道层形成电子气沟道的势垒层，所述势垒层具有间隔设置的第一栅区和第二栅区；源极和漏极，经所述电子气沟道电气连接；p-GaN栅极，设于所述第一栅区，且所述p-GaN栅极的阈值电压为正值；副栅极，设于所述第二栅区；其中，所述副栅极对应的饱和电流不大于所述p-GaN栅极对应的饱和电流；当达到所述p-GaN栅极对应的饱和电压时，所述漏极具有第一电压；当达到与所述副栅极对应的饱和电压时，所述漏极具有第二电压；所述第二电压不大于所述第一电压。
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