英诺赛科(苏州)半导体有限公司任玉龙获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利一种封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222914791U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421925275.1，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型一种封装结构是由任玉龙设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种封装结构，包括：第一金属框架、第二金属框架、绝缘层、第一粘结层和待封装芯片；第二金属框架设置于待封装芯片远离第一金属框架的一侧，第二金属框架包括至少相互绝缘的两个第一子框架，每一第一子框架邻近待封装芯片的表面具有凸出部；待封装芯片邻近第二金属框架的表面具有第一芯片引脚；凸出部与第一芯片引脚一一对应电连接；绝缘层设置于待封装芯片和第二金属框架之间，第一金属框架和第二金属框架通过第一粘结层固定连接在一起。本实用新型实现了待封装芯片双面快速散热，提高了封装结构的热熔，避免了待封装芯片瞬态温度过高造成损坏，减少了封装结构的塑性形变，提高了封装结构的可靠性。
本实用新型一种封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括：第一金属框架、第二金属框架、绝缘层、第一粘结层和待封装芯片；其中，所述第一金属框架包括容纳槽，所述待封装芯片设置于所述容纳槽内；所述第二金属框架设置于所述待封装芯片远离所述第一金属框架的一侧，所述第二金属框架包括至少两个相互绝缘的第一子框架，每一所述第一子框架邻近所述待封装芯片的表面具有凸出部；待封装芯片邻近所述第二金属框架的表面具有第一芯片引脚；所述凸出部与所述第一芯片引脚一一对应电连接；所述绝缘层设置于所述待封装芯片和所述第二金属框架之间，所述第一金属框架和所述第二金属框架通过所述第一粘结层固定连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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