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龙图腾网获悉青岛聚能创芯微电子有限公司申请的专利一种多芯片级联封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916509U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421922082.0，技术领域涉及：H10D80/20；该实用新型一种多芯片级联封装结构是由窦娟娟设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片级联封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种多芯片级联封装结构，应用于芯片封装技术领域，设置有依次排列设置的第一氮化镓芯片、半导体芯片和第二氮化镓芯片；第一氮化镓芯片和第二氮化镓芯片，沿垂直于第一氮化镓芯片、半导体芯片和第二氮化镓芯片排列的方向的两侧，均设置有栅极；第一氮化镓芯片中的第一栅极和第二氮化镓芯片中的第二栅极，均与半导体芯片的源极导电连接；第一栅极为第一氮化镓芯片靠近半导体芯片的源极一侧的栅极，第二栅极为第二氮化镓芯片靠近半导体芯片的源极一侧的栅极。本申请通过设置两个氮化镓芯片并联与半导体芯片连接，且两个氮化镓芯片分设在半导体芯片的两侧，将靠近半导体芯片源极的栅极与之连接，降低了制备成本，提高了封装便捷性。

本实用新型一种多芯片级联封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多芯片级联封装结构，其特征在于，包括：依次排列设置的第一氮化镓芯片、半导体芯片和第二氮化镓芯片；所述半导体芯片为硅基MOSFET芯片或碳化硅基MOSFET芯片；所述第一氮化镓芯片的栅极、漏极和源极，所述第二氮化镓芯片的栅极、漏极和源极，以及所述半导体芯片的栅极和源极均设置在对应芯片的正面，所述半导体芯片的漏极设置在所述半导体芯片的背面，且所述第一氮化镓芯片和所述第二氮化镓芯片，沿垂直于所述第一氮化镓芯片、所述半导体芯片和所述第二氮化镓芯片排列的方向的两侧，均设置有栅极；所述第一氮化镓芯片中的第一栅极和所述第二氮化镓芯片中的第二栅极，均与所述半导体芯片的源极导电连接；所述第一栅极为所述第一氮化镓芯片靠近所述半导体芯片的源极一侧的栅极，所述第二栅极为所述第二氮化镓芯片靠近所述半导体芯片的源极一侧的栅极；所述第一氮化镓芯片的源极和所述第二氮化镓芯片的源极，均与所述半导体芯片的漏极导电连接，且所述第一氮化镓芯片的漏极和所述第二氮化镓芯片的漏极均与漏极引脚导电连接，所述半导体芯片的栅极与栅极引脚导电连接，所述半导体芯片的源极与源极引脚导电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛聚能创芯微电子有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市崂山区松岭路169号青岛国际创新园B座402；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。