苏州珂晶达电子有限公司沈忱获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州珂晶达电子有限公司申请的专利一种平面高压器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916505U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421904828.5，技术领域涉及：H10D30/65；该实用新型一种平面高压器件是由沈忱设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面高压器件在说明书摘要公布了：本实用新型实施例公开了一种平面高压器件。该平面高压器件包括半导体衬底、P型隔离层、N型漂移层、栅区、源区、漏区和体区，其中，P型隔离层位于半导体衬底上方，N型漂移层位于P型隔离层的上方，栅区、源区、漏区和体区位于N型漂移层上方，体区、栅区和漏区在水平方向排列，且栅区位于体区和漏区之间，源区位于体区上方且与栅区邻接；栅区包括栅极深槽以及位于栅极深槽中的第一栅氧化层和第一多晶硅栅，第一栅氧化层包裹第一多晶硅栅；栅区和漏区之间设置有浅槽隔离区，栅极深槽的深度大于体区和浅槽隔离区的深度。本实用新型实施例能够显著地降低平面高压DMOS器件的导通电阻，同时显著地增加器件耐压值。
本实用新型一种平面高压器件在权利要求书中公布了：1.一种平面高压器件，其特征在于，包括：半导体衬底；P型隔离层，位于所述半导体衬底上方；N型漂移层，位于所述P型隔离层的上方；栅区、源区、漏区和体区，位于所述N型漂移层上方；所述体区、所述栅区和所述漏区在水平方向排列，且所述栅区位于所述体区和所述漏区之间，所述源区位于所述体区上方且与所述栅区邻接；所述栅区包括栅极深槽以及位于所述栅极深槽中的第一栅氧化层和第一多晶硅栅，所述第一栅氧化层包裹所述第一多晶硅栅；所述栅区和所述漏区之间设置有浅槽隔离区，所述栅极深槽的深度大于所述体区和所述浅槽隔离区的深度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州珂晶达电子有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园144-001单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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