买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种发光器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916535U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421899717.X，技术领域涉及：H10H20/831；该实用新型一种发光器件结构是由蔡琳榕;唐如梦;吴东东设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种发光器件结构，包括基板、第一半导体层、第二半导体层和有源层；贯穿第二半导体层及有源层，并延伸到第一半导体层内部的第一凹陷和第二凹陷，第一凹陷和第二凹陷均设置两处，且对应的第一凹陷和第二凹陷均对称设置；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反射层形成电连接的第二导电层，与第二导电层形成电连接的第三导电层，与第三导电层形成电连接的第一焊盘；第一导电层、反射层、第二导电层、第三导电层、第一焊盘共同组成第一电连接层。本实用新型不缩减发光面积的前提下增加电流流通通道，进而优化电流的横向扩展和纵向扩展，减少器件工作产生的热效应，提高器件稳定性。

本实用新型一种发光器件结构在权利要求书中公布了：1.一种发光器件结构，包括基板3、第一半导体层1、第二半导体层2和有源层4；基板3上依次生长第一半导体层1、有源层4、第二半导体层2；其特征在于，还包括如下：贯穿第二半导体层2及有源层4，并延伸到第一半导体层1内部的第一凹陷5和第二凹陷6，第一凹陷5和第二凹陷6均设置两处，且对应的第一凹陷5和第二凹陷6均对称设置；与第二半导体层2形成欧姆接触的第一导电层7，与第一导电层7形成电连接的反射层8，与反射层8形成电连接的第二导电层9，与第二导电层9形成电连接的第三导电层10，与第三导电层10形成电连接的第一焊盘11；第一导电层7、反射层8、第二导电层9、第三导电层10、第一焊盘11共同组成第一电连接层；覆盖于第二半导体层2部分表面及第一导电层7部分表面的第一绝缘层12；覆盖于第一凹陷5侧壁、第一绝缘层12部分表面及第一电连接层一侧的第二绝缘层13；接触于第二绝缘层13表面并且与第一半导体层1形成电连接的第三导电层10，第三导电层10与第二焊盘15组成第二电连接层；覆盖于第三导电层10表面，且隔离第一电连接层和第二电连接层直接导通的第三绝缘层14；第一凹陷5分布在发光区域，第二凹陷6分布在发光外围，且第一凹陷5和第二凹陷6区域电位一致。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽格恩半导体有限公司，其通讯地址为：237000 安徽省六安市金安区巢湖路288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。