合肥晶合集成电路股份有限公司张昭获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222916522U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421859082.0,技术领域涉及:H10F39/18;该实用新型背照式图像传感器是由张昭;马忠祥;谢荣源;潘国栋设计研发完成,并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器在说明书摘要公布了:本申请涉及一种背照式图像传感器,包括:包括:器件晶圆、隔离层、隔离叠层和滤光层,器件晶圆上包括覆盖多个沟槽隔离结构的隔离层;隔离层背离沟槽隔离结构的表面上包括沿第一方向交替分布的隔离叠层及滤光层;隔离叠层包括第一介电层、位于第一介电层与隔离层之间的第二介电层,以及位于第二介电层外侧表面的导电层,导电层的折射率位于目标折射率范围内。通过在隔离叠层中设置第二介电层,在第二介电层外侧表面设置导电层,使得隔离叠层对器件晶圆的应力较小,解决了由于隔离叠层应力大而造成器件晶圆翘曲度过大的问题,并且导电层的折射率位于目标折射率范围内,可以有效的避免光学的串扰,提高了背照式传感器产品的质量。
本实用新型背照式图像传感器在权利要求书中公布了:1.一种背照式图像传感器,其特征在于,包括:器件晶圆,所述器件晶圆内包括沿第一方向间隔分布的多个沟槽隔离结构,所述器件晶圆上包括覆盖所述多个沟槽隔离结构的隔离层;所述隔离层背离所述沟槽隔离结构的表面上包括沿所述第一方向交替分布的隔离叠层及滤光层;其中,所述隔离叠层包括第一介电层、位于所述第一介电层与所述隔离层之间的第二介电层,以及位于所述第二介电层外侧表面的导电层,所述导电层的折射率位于目标折射率范围内。
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