重庆平伟实业股份有限公司闫瑞东获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆平伟实业股份有限公司申请的专利一种顶部散热式MOS的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222914803U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421840010.1，技术领域涉及：H01L23/495；该实用新型一种顶部散热式MOS的封装结构是由闫瑞东;唐鑫;徐向涛;姚福林;易文双;杨伟设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种顶部散热式MOS的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种顶部散热式MOS的封装结构，包括框架本体，包括并排且依次设置的第一基岛、第二基岛和第三基岛，以及平行设置于对侧的第四基岛，第一基岛、第二基岛和第三基岛分别连接有一个引脚区，第四基岛连接有三个引脚区；芯片组，包括在第一基岛、第二基岛和第三基岛上分别设置的第一芯片、第二芯片和第三芯片，以及在第四基岛上沿其长度方向并排设置的第四芯片、第五芯片和第六芯片；封装层，包覆于框架本体上，并使框架本体背离芯片组的一侧及所有引脚区外露。本实用新型实现了6个MOS芯片合封为一个器件，提高了PCB的空间利用率，且降低了生产成本，并能用于大功率大电流的应用场景。
本实用新型一种顶部散热式MOS的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种顶部散热式MOS的封装结构，其特征在于，包括：框架本体，框架本体包括并排且依次设置的第一基岛、第二基岛和第三基岛，以及平行设置于对侧的第四基岛，所述第一基岛、第二基岛和第三基岛分别连接有一个引脚区，所述第四基岛连接有三个引脚区；芯片组，包括在所述第一基岛、第二基岛和第三基岛上分别设置的第一芯片、第二芯片和第三芯片，以及在所述第四基岛上沿其长度方向并排设置的第四芯片、第五芯片和第六芯片；封装层，包覆于所述框架本体上，并使所述框架本体背离芯片组的一侧及所有引脚区外露。
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