中电科技德清华莹电子有限公司李勇获国家专利权
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龙图腾网获悉中电科技德清华莹电子有限公司申请的专利一种新型多层异质键合衬底结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222916549U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421812927.0,技术领域涉及:H10N30/85;该实用新型一种新型多层异质键合衬底结构是由李勇;葛法熙;朱卫俊;何朝峰;宋伟;崔坤;施旭霞设计研发完成,并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型多层异质键合衬底结构在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种新型多层异质键合衬底结构,属于压电复合材料领域,包括功能衬底层和晶圆结构层,所述功能衬底层包括第一衬底层以及制作在第一衬底层表面的功能元件和器件层,晶圆结构层包括由下向上依次设置的第二衬底层、吸收层、隔离层和压电薄膜层,所述功能衬底层和晶圆结构层之间设有键合层,所述晶圆结构层底面与功能衬底层正面对准并在键合层处通过多种键合方式连接,所述晶圆结构层设有金属化孔,所述金属化孔两端分别设有顶部金属面板和底部面板,所述顶部金属面板置于晶圆结构层顶部,所述底部面板置于键合层底部。具有连接距离短、Q值高、可靠性好、空间集成度高的优点,以及更高的批产效率和更便捷的晶圆材料、功能元件、器件制作参数的更改。
本实用新型一种新型多层异质键合衬底结构在权利要求书中公布了:1.一种新型多层异质键合衬底结构,其特征在于:包括功能衬底层和晶圆结构层,所述功能衬底层和晶圆结构层之间设键合层3,所述晶圆结构层底面与功能衬底层正面对准并在键合层3处通过多种键合方式连接,所述晶圆结构层设有金属化孔10,所述金属化孔10两端分别设有顶部金属面板8和底部面板,所述顶部金属面板8置于晶圆结构层顶部,所述底部面板置于功能衬底层顶部。
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