台湾积体电路制造股份有限公司张致豪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222914810U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421787473.6，技术领域涉及：H01L23/528；该实用新型半导体装置是由张致豪;李威养;郑宽豪;彭成毅设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包含半导体纳米结构堆叠、相邻于半导体纳米结构堆叠的源极漏极区、下伏于该源极漏极区的一底部介电层、衬里层及导电核心层。源极漏极区具有一顶表面、多个侧壁及一底表面。一孔隙存在于源极漏极区与底部介电层之间。衬里层位于源极漏极区上。导电核心层位于衬里层上，其中导电核心层在源极漏极区的顶表面、侧壁及底表面上与衬里层接触。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一半导体纳米结构堆叠；相邻于该半导体纳米结构堆叠的一源极漏极区，其中该源极漏极区具有一顶表面、多个侧壁及一底表面；下伏于该源极漏极区的一底部介电层，其中一孔隙存在于该源极漏极区与该底部介电层之间；一衬里层，位于该源极漏极区上；及一导电核心层，位于该衬里层上，其中该导电核心层在该源极漏极区的该顶表面、所述多个侧壁及该底表面上与该衬里层接触。
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