浙江驰拓科技有限公司鲁鹏棋获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利磁场屏蔽封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916550U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421803234.5，技术领域涉及：H10N50/80；该实用新型磁场屏蔽封装结构是由鲁鹏棋;朱凯峰设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁场屏蔽封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种磁场屏蔽封装结构，包括：封装框架，具有封装引脚；中介层，设置在封装框架上，中介层具有内侧电极和外侧电极，内侧电极和外侧电极之间间隔设置，内侧电极和外侧电极之间通过中介层中布设的金属线电连接；外侧电极与封装引脚电连接；屏蔽垫片，设置在中介层上，屏蔽垫片具有对应于内侧电极的第一通孔；芯片，设置在屏蔽垫片上，芯片的电极与内侧电极通过第一通孔电连接；磁屏蔽罩，磁屏蔽罩底部具有凹形的容纳空间，凹形的容纳空间用于容纳芯片，磁屏蔽罩的底部边缘与屏蔽垫片接触，磁屏蔽罩的边缘设置在内侧电极和外侧电极的间隔位置。本实用新型能够在确保屏蔽效果的前提下，有效降低磁场屏蔽封装的工艺难度。
本实用新型磁场屏蔽封装结构在权利要求书中公布了：1.一种磁场屏蔽封装结构，其特征在于，包括：封装框架，具有封装引脚；中介层，设置在封装框架上，所述中介层具有内侧电极和外侧电极，所述内侧电极和外侧电极之间间隔设置，所述内侧电极和外侧电极之间通过中介层中布设的金属线电连接；所述外侧电极与所述封装引脚电连接；屏蔽垫片，设置在所述中介层上，所述屏蔽垫片具有对应于内侧电极的第一通孔；芯片，设置在所述屏蔽垫片上，所述芯片的电极与所述内侧电极通过所述第一通孔电连接；磁屏蔽罩，所述磁屏蔽罩底部具有凹形的容纳空间，所述凹形的容纳空间用于容纳所述芯片，所述磁屏蔽罩的底部边缘与所述屏蔽垫片接触，所述磁屏蔽罩的边缘设置在所述内侧电极和外侧电极的间隔位置。
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