台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司陈焕能获国家专利权
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龙图腾网获悉台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916511U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421727962.2，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型半导体结构是由陈焕能;李绍宇;陈村村设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：半导体结构包含基材、第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管。第一晶体管位于基材的静电放电电路区域上。第二晶体管位于基材的第一缓冲电路区域上，其中从一俯视图来看，第一缓冲电路区域位于静电放电电路区域的一第一侧。第三晶体管位于基材的第二缓冲电路区域上，其中第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管是一第一晶片的一输入输出电路的一部分，且从俯视图来看，第二缓冲电路区域位于静电放电电路区域的第一侧相对的一第二侧。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基材；一第一晶体管，位于该基材的一静电放电电路区域上；一第二晶体管，位于该基材的一第一缓冲电路区域上，其中从一俯视图来看，该第一缓冲电路区域位于该静电放电电路区域的一第一侧；以及一第三晶体管，位于该基材的一第二缓冲电路区域上，其中该第一晶体管、该第二晶体管以及该第三晶体管是一第一晶片的一输入输出电路的一部分，且从该俯视图来看，该第二缓冲电路区域位于该静电放电电路区域的该第一侧相对的一第二侧。
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