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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种降低关断损耗的绝缘栅双极性晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916502U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421668494.6，技术领域涉及：H10D12/00；该实用新型一种降低关断损耗的绝缘栅双极性晶体管是由原江伟;神田良;中村浩树;吕征尔;王毅设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低关断损耗的绝缘栅双极性晶体管在说明书摘要公布了：一种降低关断损耗的绝缘栅双极性晶体管，涉及半导体功率器件技术领域，较传统的器件元胞结构引入P‑型注入层来取代部分N型层来形成新的载流子存储层，有效的为导通饱和电压与关断损耗的结构调节提供了新的设计案。新引入的P‑型载流子存储层在绝缘栅双极性晶体管在栅极+15V开通时，可以由P‑反型为N型层实现载流子（空穴）的积累，从而增强了电导调制效应，降低了导通饱和电压。新引入的P‑型载流子存储层在绝缘栅双极性晶体管在栅极‑5V‑8V关断时，可以由P‑变为P型层，增强关断时载流子（空穴）的抽取，减小载流子（空穴）的积累，降低关断时间和拖尾电流，从而实现关断损耗的降低。

本实用新型一种降低关断损耗的绝缘栅双极性晶体管在权利要求书中公布了：1.一种降低关断损耗的绝缘栅双极性晶体管，包括区熔单晶层（7），其特征在于，所述区熔单晶层（7）顶部设有N型载流子存储层（5）外，还在元胞中间设有一层P型的具有开关自适应的P型载流子存储层（10）；所述N型载流子存储层（5）和P型载流子存储层（10）上设有第一沟槽（21）、第二沟槽（22）和第三沟槽（23）；所述第一沟槽（21）、第二沟槽（22）和第三沟槽（23）互相独立不连通形成栅状沟槽；所述第一沟槽（21）、第二沟槽（22）和第三沟槽（23）内分别依次生长氧化层（6）；所述区熔单晶层（7）顶部设有P型沟道注入层（2），所述第一沟槽（21）两侧的P型沟道注入层（2）上设有N+层（3）；所述区熔单晶层（7）上设有层间介质层（13），所述层间介质层（13）上设有若干向下延伸的通孔（14）；所述第一沟槽（21）和第二沟槽（22）间的通孔（14）依次穿过层间介质层（13）和N+层（3）接触到P型沟道注入层（2）；所述第二沟槽（22）和第三沟槽（23）间的通孔（14）穿过层间介质层（13）与P型沟道注入层（2）连接；所述第二沟槽（22）中的通孔（14）穿过层间介质层（13）与第二沟槽多晶硅（11）连接；两个第二沟槽多晶硅（11）通过通孔（14）与发射极相连形成发射极沟槽结构；正面金属层（1）分别填充若干通孔（14）。

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