台湾积体电路制造股份有限公司杨松鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916510U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421635822.2，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由杨松鑫;邹传正;蒋振劼设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本文所描述的实施方式提供了一种半导体装置，基于栅极的对准图案的各个实施方式，用于基板的半导体工艺对准，在基板上制造多个半导体装置。在本文所描述的一些实施方式中，基于栅极的对准图案可被包括在半导体装置的对准标记区域中，对准标记区域制造在基板上。对准标记区域可包括多个栅极结构，多个栅极结构被蚀刻以形成基于栅极的对准图案。基于栅极的对准图案的使用可以减少和或可以防止基于栅极的对准图案被来自一或多个半导体处理操作的残余材料副产物遮蔽或覆盖的可能性，执行所述半导体处理操作以形成半导体装置的各种层和或结构。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一或多个装置区域，包括多个主动晶体管结构；以及一对准标记，邻近于一或多个装置区域的至少一子集，该对准标记包括以一图案而排列的多个非主动栅极结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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