台湾积体电路制造股份有限公司许胜福获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构与半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916512U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421574703.0，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型半导体结构与半导体装置是由许胜福;陈世范;黄麟淯设计研发完成，并于2024-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构与半导体装置在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体结构与半导体装置，其中，半导体结构包括位于衬底中的源极及漏极。所述半导体结构包括氮化镓GaN高电子迁移率晶体管HEMT装置的栅极，所述栅极被配置成对源极与漏极之间的通道进行控制。所述半导体结构包括位于栅极与衬底上的电路之间的电阻器，在目标装置例如，氮化镓GaN高电子迁移率晶体管装置的栅极与箝位电路之间提供电阻器会改善输入输出IO与目标装置之间的静电放电ESD保护。举例而言，在人体模型下，电阻器可在输入输出与目标装置的源极之间以及输入输出与目标装置的漏极之间形成可为至少2千伏的静电放电保护。由于静电放电保护得到改善，因此目标装置中发生烧毁的可能性得以降低。另外，可在箝位电路中施加更大的电流，而不会存在静电放电的风险。
本实用新型半导体结构与半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：源极及漏极，位于衬底中；氮化镓高电子迁移率晶体管装置的栅极，被配置成控制所述源极与所述漏极之间的通道；以及电阻器，位于所述栅极与所述衬底上的电路之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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