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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利用于测试芯片的电学测试模块、测试装置和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118707295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410832627.7，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权用于测试芯片的电学测试模块、测试装置和测试方法是由魏晓光;黄志涛;刘瑞;李玲;王耀华;唐新灵;吴沛飞;焦倩倩设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于测试芯片的电学测试模块、测试装置和测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及用于测试芯片的电学测试模块、测试装置和测试方法。所述电学测试模块所述电学测试模块包括沿竖直方向由下至上依次叠置的触点阵列层、地线层、至少两个信号线层、信号电源层、驱动电源和贴片元件层；电学测试模块提供如下的电路：触点仅在所述至少两个信号线层中同时有信号发出的情况下开通，以便测量触点与门极探针之间的电压。本发明采用电学扫描取代机械位移扫描的方式完成对芯片上多达上万个梳条的门阴极耐压测试，并且能筛选定位失效阴极梳条，从而提高测试效率、简化结构、降低成本。

本发明授权用于测试芯片的电学测试模块、测试装置和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种用于测试芯片的电学测试模块（5），其特征在于，所述电学测试模块（5）包括沿竖直方向由下至上依次叠置的触点阵列层（14）、地线层（15）、至少两个信号线层、信号电源层（18）、驱动电源和贴片元件层（19）；触点阵列层（14）包括多个触点（11），触点（11）对应于芯片的阴极梳条进行排列，以便测试芯片时压接芯片的阴极梳条；电学测试模块（5）上还设有第三通孔（12），以便在测试芯片时测试装置的门极探针穿过第三通孔（12）扎接芯片的门极；电学测试模块（5）提供如下的电路：触点（11）仅在所述至少两个信号线层中同时有信号发出的情况下开通，以便测量触点（11）与门极探针之间的电压；其中，所述至少两个信号线层为第一信号线层（16）和第二信号线层（17），第一信号线层（16）发射信号An，n为自然数，An标记第n靠近芯片中央的一圈阴极梳条；第二信号线层（17）发射信号Bm，m为自然数，Bm标记芯片不同半径方向上的阴极梳条；第一信号线层（16）发出信号An，同时第二信号线层（17）发出信号Bm，以便开通被测量的阴极梳条上的触点（11），这时被测量的阴极梳条上的触点（11）就标记为AnBm；其中，驱动电源和贴片元件层（19）还包括MOS管，在检测芯片时MOS管与触点电连接，门极探针接地；其中，驱动电源和贴片元件层（19）还包括主控，主控存储有控制逻辑，以便控制所述至少两个信号线层同时产生信号并实现每一时刻仅一个触点（11）开通。

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