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龙图腾网获悉武汉科技大学;中国科学院物理研究所申请的专利一种均匀掺杂元素的TiFe₂合金单晶制备方法及TiFe₂合金获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118685856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410811097.8，技术领域涉及：C30B27/02；该发明授权一种均匀掺杂元素的TiFe₂合金单晶制备方法及TiFe₂合金是由侯廷平;谭昕暘;胡亮;石友国;吴开明设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种均匀掺杂元素的TiFe₂合金单晶制备方法及TiFe₂合金在说明书摘要公布了：本发明提供一种均匀掺杂元素的TiFe2合金单晶制备方法，其包括步骤：按照原料的摩尔比称重，充分混匀后放入电弧炉中，在氩气保护下熔炼出多晶锭，再将多晶锭放入四电弧单晶提拉炉中，在氩气保护下用电弧完全融化，恒温过热后降温至晶体熔点；然后下放提拉钨针，经过匀速提拉过程生长出单晶棒；当单晶棒生长到需要的长度后将其提离液面，降至室温后取出，得到TiFe2合金单晶。本发明所述方案无需使用熔剂，以熔体提拉技术为基础，合理设计晶体生长的工艺过程，相较常规TiFe2合金单晶的合成技术，能够获得更加稳定、高质量、成分均匀的单晶，且可重复生长，能够实现降本增效的目的。

本发明授权一种均匀掺杂元素的TiFe₂合金单晶制备方法及TiFe₂合金在权利要求书中公布了：1.一种均匀掺杂元素的TiFe2合金单晶制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、配料：按照Ti：Fe：Si=4:7:1摩尔比的原材料配置并混匀，所述TiFe2合金的单晶元素含量为：4Ti-7Fe-Si；S2、熔炼多晶：将步骤S1获得的混合后的所述原材料置于熔炼坩埚中，采用电弧熔炼法获得TiFe2多晶锭，整个熔炼过程样品采用惰性气体保护；S3、提拉生长单晶：（1）熔融：将步骤S2中获得的所述TiFe2多晶锭倒置在四电弧单晶生长炉的铜坩埚中，调整四个电弧电极与所述TiFe2多晶锭之间的距离相等；经过洗气和除氧后，四根钨电极同时起弧，以12.5～13.5A的电流熔炼所述TiFe2多晶锭；（2）收颈：减小电流至10.5～11.5A，将提拉钨针尖端插入熔体，待熔体稳定后向上提拉收颈；（3）匀速提拉：收颈完成后，将提拉速度设为4mmh，同时提拉钨针与铜坩埚分别以≤2.5rmin的转速朝相反方向旋转，将凝固结晶的单晶向上提拉，保持等径生长；（4）生长结束：当生长的单晶达到所需的尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面，待样品冷却至室温后取出，即得到所述TiFe2合金单晶。

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