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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118677414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410768328.1，技术领域涉及：H03K17/08；该发明授权功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用是由魏晓光;高佳敏;郝炜;唐新灵;于克凡;代安琪;王靖飞;杜玉杰;林仲康;王亮设计研发完成，并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用。其中，功率半导体器件的驱动保护电路包括开通模块、第一关断模块、保护模块，所述开通模块、所述第一关断模块和所述保护模块并联连接在所述功率半导体器件的门极和阴极之间，其中，所述保护模块用于在所述功率半导体器件的门阴极电压超过预设阈值的情况下保护所述功率半导体器件。本发明的功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用，通过增加保护模块，使得在功率半导体器件未与驱动连接或功率半导体器件封装内部阴极接触不可靠等故障工况下，保障器件芯片、封装及驱动本身的运行安全。

本发明授权功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件的驱动保护电路，其特征在于，包括开通模块、第一关断模块、保护模块，所述开通模块、所述第一关断模块和所述保护模块并联连接在所述功率半导体器件的门极和阴极之间，其中，所述保护模块用于在所述功率半导体器件的门阴极电压超过预设阈值的情况下保护所述功率半导体器件；其中，所述保护模块包括电压比较单元和开关单元，所述电压比较单元和所述开关单元并联连接在所述功率半导体器件的门极和阴极之间，所述电压比较单元用于在所述功率半导体器件的门阴极电压超过预设阈值的情况下产生所述开关单元的导通信号，所述开关单元用于根据所述导通信号实现导通，以在所述功率半导体器件的门极和阴极之间形成闭合回路;其中，所述电压比较单元包括第一转折二极管和第一箝位电阻，所述开关单元包括第一电流驱动型半导体开关，所述第一转折二极管的阳极和所述第一箝位电阻的第一端连接所述第一电流驱动型半导体开关的门极，所述第一转折二极管的阴极和所述第一电流驱动型半导体开关的阳极连接所述功率半导体器件的门极，所述第一箝位电阻的第二端和所述第一电流驱动型半导体开关的阴极连接所述功率半导体器件的阴极。

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