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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导体器件及半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410773257.4，技术领域涉及：H10D18/60；该发明授权半导体器件及半导体器件的制备方法是由王耀华;魏晓光;高明超;李立;刘瑞;李玲;苑广安;唐新灵;纪瑞朗;李宋伟设计研发完成，并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及半导体器件的制备方法。半导体器件包括：阳极金属层；有源层，位于阳极金属层的一侧，包括沿厚度方向依次堆叠形成的阳极区、第一基区、第二基区、第三基区和阴极区，第三基区包括多个第一掺杂区，不同的第一掺杂区在半导体器件的厚度方向上的尺寸不同；多个阴极结构，位于阴极子区远离阳极金属层的一侧；门极金属层，包括门极接触结构，位于第三基区远离第二基区的一侧，且位于阴极子区的同一侧；一个门极接触结构用于控制至少两个第一掺杂区的关断，第一子掺杂区的关断时间先于第二子掺杂区，在半导体器件的厚度方向上，第一子掺杂区的尺寸小于第二子掺杂区的尺寸。可以增强半导体器件的安全性、稳定性和可靠性。

本发明授权半导体器件及半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.半导体器件，其特征在于，包括：阳极金属层；有源层，所述有源层位于所述阳极金属层的一侧，所述有源层包括沿所述半导体器件的厚度方向上依次堆叠形成的阳极区、第一基区、第二基区、第三基区和阴极区，所述阳极区与所述阳极金属层相接触，所述第三基区包括多个第一掺杂区，不同的所述第一掺杂区在所述半导体器件的厚度方向上的尺寸不同，所述阴极区包括多个阴极子区；多个阴极结构，每个所述阴极结构位于所述阴极子区远离所述阳极金属层的一侧；门极金属层，包括门极接触结构，所述门极接触结构位于所述第三基区远离所述第二基区的一侧，且位于所述阴极子区的同一侧；其中，一个所述门极接触结构用于控制至少两个所述第一掺杂区的关断，所述第一掺杂区包括第一子掺杂区和第二子掺杂区，在通过所述门极接触结构控制所述第一子掺杂区和所述第二子掺杂区关断的情况下，所述第一子掺杂区的关断时间先于所述第二子掺杂区，所述第一子掺杂区与所述第二子掺杂区在关断时刻的单元电流密度均处于预设范围内。

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