台湾积体电路制造股份有限公司陈伟华获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916501U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421328259.4，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型半导体装置是由陈伟华;邱冠中;李婕;李俊颖;黄家恩;刘逸青设计研发完成，并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包含栅极层、栅极氧化层及数个半导体通道。栅极层设置于半导体基材上方的数个金属化层的其中一者中且包含数个栅极。栅极氧化层设置于此些栅极上方。半导体通道通过栅极氧化层与栅极层分开。此些半导体通道包含第一记忆单元的数个晶体管。栅极和半导体通道互连而形成包含金属化结构的数层的第一记忆单元。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一栅极层，设置于一半导体基材上方的多个金属化层的其中一者中，其中该栅极层包含多个栅极；一栅极氧化层，设置于所述多个栅极的上方；以及多个半导体通道，通过该栅极氧化层与该栅极层分离开，其中所述多个半导体通道包含一第一记忆单元的多个晶体管；其中，所述多个栅极和所述多个半导体通道互连而形成该第一记忆单元，该第一记忆单元包含一金属化结构的多个层。
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