北京怀柔实验室李玲获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118588748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410739913.9，技术领域涉及：H10D18/60；该发明授权功率半导体器件及其制备方法是由李玲;吴沛飞;魏晓光;孙宁飞;张语;刘瑞;焦倩倩;姬世宇;王凝一;霍新宇设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件及其制备方法。所述功率半导体器件包括半导体层、门极引出端和门极网，其中，所述门极引出端和门极网设置于所述半导体层的阴极面上，所述门极网与所述半导体层的接触电阻根据门极网与所述门极引出端的距离远近呈梯度分布，距离所述门极引出端越近，所述门极网与所述半导体层的接触电阻越大。本发明通过对门极网与半导体层的接触电阻进行调整，控制流经金‑半接触的电流沿着金属互联结构更多地流向接触电阻小的区域，实现电流在横纵向的精确控制，改善电流不均匀分布，避免烧坏器件。
本发明授权功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括半导体层、门极引出端和门极网，其中，所述门极引出端和门极网设置于所述半导体层的阴极面上，其特征在于，所述门极网与所述半导体层的接触电阻根据门极网与所述门极引出端的距离远近呈梯度分布，距离所述门极引出端越近，所述门极网与所述半导体层的接触电阻越大；所述门极网包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置于所述半导体层与所述第二金属层之间，所述第一金属层与所述半导体层的接触电阻呈梯度分布；所述第一金属层的厚度为5nm-1μm；所述第一金属层呈现不同深度的合金化；所述第一金属层的合金化深度为2-50nm；通过精确控制所述第一金属层的合金化程度，精确调控所述接触电阻的所述梯度分布；或者所述门极网包括合金层和第三金属层，所述合金层设置于所述半导体层与所述第三金属层之间，所述合金层与所述半导体层的接触电阻呈所述梯度分布；所述合金层的成分为AlxSiy，其中，7≤xy≤60；所述合金层的厚度为2-50nm；通过精确控制所述合金层的合金化程度，精确调控所述接触电阻的所述梯度分布。
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