江西沐邦高科股份有限公司;广西沐邦高科新能源有限公司;沐邦新能源(铜陵)有限公司梁成宝获国家专利权
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龙图腾网获悉江西沐邦高科股份有限公司;广西沐邦高科新能源有限公司;沐邦新能源(铜陵)有限公司申请的专利一种N型电池片及电池组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916529U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421194787.5，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型一种N型电池片及电池组件是由梁成宝;黄立峰;王伟;唐果设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种N型电池片及电池组件在说明书摘要公布了：本实用新型属于电池技术领域，公开了一种N型电池片及电池组件。N型电池片包括N型硅基底以及依次设在N型硅基底的背面的遂穿层、掺杂晶硅层以及背面减反射功能层，掺杂晶硅层至少包括在远离N型硅基底的背面方向上依次设置的第一掺杂晶硅层、第二掺杂晶硅层以及第三掺杂晶硅层；第一掺杂晶硅层的掺杂浓度大于N型硅基底的掺杂浓度。第一掺杂晶硅层和第三掺杂晶硅层的掺杂浓度均大于或者均小于第二掺杂晶硅层的掺杂浓度。该N型电池片兼顾低掺杂浓度引起的寄生吸收降低、减少复合和高掺杂浓度引起的电阻率低、钝化效果好的技术优势，有利于提升N型电池片的整体性能。
本实用新型一种N型电池片及电池组件在权利要求书中公布了：1.一种N型电池片，其特征在于，包括N型硅基底1以及依次设在所述N型硅基底1的背面的遂穿层2、掺杂晶硅层以及背面减反射功能层4，所述掺杂晶硅层至少包括在远离所述N型硅基底1的背面方向上依次设置的第一掺杂晶硅层31、第二掺杂晶硅层32以及第三掺杂晶硅层33；所述第一掺杂晶硅层31的掺杂浓度大于所述N型硅基底1的掺杂浓度；其中：所述第一掺杂晶硅层31和所述第三掺杂晶硅层33的掺杂浓度均大于所述第二掺杂晶硅层32的掺杂浓度；或者：所述第一掺杂晶硅层31和所述第三掺杂晶硅层33的掺杂浓度均小于所述第二掺杂晶硅层32的掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西沐邦高科股份有限公司;广西沐邦高科新能源有限公司;沐邦新能源(铜陵)有限公司，其通讯地址为：330513 江西省南昌市安义县工业园区东阳大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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