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龙图腾网获悉广州奥松电子股份有限公司;北京理工大学;北京航空航天大学申请的专利一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118507376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410605849.5，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法是由张宾;陈新准;陈善任;郑德智;王帅;李大鹏;朱瑞;程元红;李婷;张福容;隆艺瑶;江俊易设计研发完成，并于2024-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法，属于半导体刻蚀技术领域，首先，在晶圆表面沿离子注入预设路径制备离子图形，将离子注入在离子图形区域内；其次，在注入离子的晶圆表面制备标记物图形，在注入的离子表面和第二光刻胶层表面分别镀上标记物；然后，在留存在离子表面的标记物上和晶圆上制备保护层；接着，在保护层表面沿离子注入预设路径制备刻蚀图形；最后，在刻蚀的过程中，检测所述标记物的厚度变化并同步确认所述离子表面标记物的颜色变化，当观察所述离子表面标记物颜色消失时，判断离子表面的保护层已被刻蚀完成，停止刻蚀，该检测方法无需进行电阻和膜厚测试，节省了时间和测试步骤，且不容易损伤基底。

本发明授权一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法在权利要求书中公布了：1.一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在晶圆表面涂覆第一光刻胶，将离子图形投影到第一光刻胶上，去除离子图形所对应的第一光刻胶，形成晶圆表面的离子图形，保留下来的第一光刻胶为第一光刻胶层，所述第一光刻胶层覆盖于晶圆表面，将离子注入到离子图形区域内，去除第一光刻胶层；S2、在注入离子的晶圆表面制备标记物在注入离子后的整个晶圆表面涂覆第二光刻胶，将标记物图形投影到第二光刻胶上，去除投影的标记物图形对应的第二光刻胶，形成晶圆表面的标记物图形，保留下来的第二光刻胶为第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖于部分离子表面和晶圆表面，在标记物图形所在的注入的离子表面和第二光刻胶层表面镀上标记物，所述标记物具有颜色，然后去除第二光刻胶层和覆盖在第二光刻胶层表面的标记物；S3、在存留在所述离子表面的标记物上和标记物之外的晶圆上制备保护层；S4、带有保护层的晶圆表面涂覆第三光刻胶，将刻蚀图形投影到第三光刻胶上，去除投影的刻蚀图形对应的第三光刻胶，形成保护层表面的刻蚀图形，保留下来的第三光刻胶为第三光刻胶层，所述第三光刻胶层覆盖于刻蚀图形之外的保护层的表面；S5、开始刻蚀，对刻蚀图形所对应的区域进行刻蚀，监测所述离子表面的颜色变化，当所述离子表面的标记物颜色消失时，停止刻蚀，判断离子表面的保护层已被刻蚀完成，进一步去除步骤S4中的第三光刻胶层；所述离子图形的孔径为D1，所述标记物图形的孔径为D2，所述刻蚀图形的孔径为D3，其中，D1＝D3＞D2；所述保护层的厚度为H1，所述刻蚀图形的孔径边沿与所述离子图形的孔径边沿之间的水平距离为H2，其中，H2＞H1。

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