买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉无锡芯感智科技股份有限公司申请的专利一种多堆叠双排布高响应流量芯片的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117222293B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311471216.1，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种多堆叠双排布高响应流量芯片的制作方法是由杨绍松;刘同庆设计研发完成，并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多堆叠双排布高响应流量芯片的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多堆叠双排布高响应流量芯片的制作方法。该方法包括在衬底上制作一层氮化硅支撑层后，在其表面制作多晶硅层，通过光刻图形化形成上下游测温热电堆下层热电偶和中心热源层热电偶；制作第二多晶硅层，通过光刻图形化形成位于上下游测温热电堆下层热电偶上方的中层热电偶；制作第二隔离层进行电绝缘隔离，通过光刻并沉积导电层形成连接热电偶的第一导线、第二导线，制作第三隔离层进行电绝缘隔离；制作第三多晶硅层，通过光刻图形化形成位于上下游测温热电堆中层热电偶上方的上层热电偶。在第三多晶硅层上制作第四隔离层，通过光刻并沉积导电层形成连接热电偶的第三导线和第四导线。本发明增加了测温元件的输出和灵敏度。

本发明授权一种多堆叠双排布高响应流量芯片的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多堆叠双排布高响应流量芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底（1）；在所述衬底（1）上制作一层氮化硅支撑层（2）；在所述氮化硅支撑层（2）表面制作一层第一多晶硅层，所述第一多晶硅层包括分别沿芯片第一轴向剖面两侧设置且沿第一轴方向交替分布的第一第一导电类型多晶硅半导体层和第一第二导电类型多晶硅半导体层、以及中间多晶硅半导体层，所述中间多晶硅半导体层为第一导电类型或第二导电类型；对在芯片第一轴向剖面两侧交替分布的第一第一导电类型多晶硅半导体层和第一第二导电类型多晶硅半导体层分别通过光刻图形化，形成分别沿第一轴方向平行分布的上游测温热电堆下层热电偶（3a）和平行分布的下游测温热电堆下层热电偶（5a）；其中，同一平面上相邻两个上游测温热电堆下层热电偶（3a）的多晶硅导电类型不同，同一平面上相邻两个下游测温热电堆下层热电偶（5a）的多晶硅导电类型不同；对中间多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成中心热源层热电偶（4），并暴露出所述氮化硅支撑层（2）表面；在光刻图形化后的所述第一多晶硅层上制作一层第一隔离层（6a）进行电绝缘隔离，所述第一隔离层（6a）分别覆盖每个上游测温热电堆下层热电偶（3a）、每个下游测温热电堆下层热电偶（5a）和所述氮化硅支撑层（2）各自的表面，随后在所述第一隔离层（6a）表面制作一层第二多晶硅层，所述第二多晶硅层包括分别沿芯片第一轴向剖面两侧设置且沿第一轴方向交替分布的第二第一导电类型多晶硅半导体层和第二第二导电类型多晶硅半导体层；对所述第二多晶硅层通过光刻图形化，形成位于每个所述上游测温热电堆下层热电偶（3a）上方的上游测温热电堆中层热电偶（3b），以及位于每个所述下游测温热电堆下层热电偶（5a）上方的下游测温热电堆中层热电偶（5b），并暴露出所述第一隔离层（6a）表面；其中，每个所述上游测温热电堆下层热电偶（3a）及其上方的上游测温热电堆中层热电偶（3b）的多晶硅导电类型不同，每个所述下游测温热电堆下层热电偶（5a）及其上方的下游测温热电堆中层热电偶（5b）的多晶硅导电类型不同；在光刻图形化后的所述第二多晶硅层上制作一层第二隔离层（6b）进行电绝缘隔离，所述第二隔离层（6b）分别覆盖每个所述上游测温热电堆中层热电偶（3b）、每个所述下游测温热电堆中层热电偶（5b）和所述第一隔离层（6a）各自的表面，再通过光刻并沉积导电层，形成分别连接于每个所述上游测温热电堆下层热电偶（3a）及其上方的所述上游测温热电堆中层热电偶（3b）之间、以及连接于每个所述下游测温热电堆下层热电偶（5a）及其上方的所述下游测温热电堆中层热电偶（5b）之间的第一导线（7a），此外，还形成分别连接于每个所述上游测温热电堆下层热电偶（3a）及其相邻的上游测温热电堆下层热电偶（3a）之间、以及连接于每个所述下游测温热电堆下层热电偶（5a）及其相邻的下游测温热电堆下层热电偶（5a）之间的第二导线（7b）；在所述第二多晶硅层上制作一层第三隔离层（6c）进行电绝缘隔离，随后在所述第三隔离层（6c）表面制作一层第三多晶硅层，所述第三多晶硅层包括分别沿芯片第一轴向剖面两侧设置且沿第一轴方向交替分布的第三第一导电类型多晶硅半导体层和第三第二导电类型多晶硅半导体层；对所述第三多晶硅层通过光刻图形化，形成位于每个所述上游测温热电堆中层热电偶（3b）上方的上游测温热电堆上层热电偶（3c），以及位于每个所述下游测温热电堆中层热电偶（5b）上方的下游测温热电堆上层热电偶（5c），并暴露出所述第三隔离层（6c）表面；其中，每个所述上游测温热电堆中层热电偶（3b）及其上方的上游测温热电堆上层热电偶（3c）的多晶硅导电类型不同，每个所述下游测温热电堆中层热电偶（5b）及其上方的下游测温热电堆上层热电偶（5c）的多晶硅导电类型不同；在光刻图形化后的所述第三多晶硅层上制作一层第四隔离层（6d）进行电绝缘隔离，所述第四隔离层（6d）分别覆盖每个所述上游测温热电堆上层热电偶（3c）、每个所述下游测温热电堆上层热电偶（5c）和所述第三隔离层（6c）各自的表面，再通过光刻并沉积导电层，形成连接于每个所述上游测温热电堆中层热电偶（3b）及其上方的所述上游测温热电堆上层热电偶（3c）、以及连接于每个所述下游测温热电堆中层热电偶（5b）及其上方的所述下游测温热电堆上层热电偶（5c）的第三导线（7c），此外，还形成分别连接于每个所述上游测温热电堆上层热电偶（3c）及其相邻的上游测温热电堆上层热电偶（3c）之间、以及连接于每个所述下游测温热电堆上层热电偶（5c）及其相邻的下游测温热电堆上层热电偶（5c）之间的第四导线（7d）；在器件上沉积一层钝化层，以覆盖所述第四隔离层（6d）、所述第三隔离层（6c）表面、所述中心热源层热电偶（4）、所述第一导线（7a）、所述第二导线（7b）、所述第三导线（7c）和所述第四导线（7d）；所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；所有所述上游测温热电堆下层热电偶（3a）、所有所述上游测温热电堆中层热电偶（3b）和所有所述上游测温热电堆上层热电偶（3c）共同构成上游热电堆测温元件；所有所述下游测温热电堆下层热电偶（5a）、所有所述下游测温热电堆中层热电偶（5b）和所有所述下游测温热电堆上层热电偶（5c）共同构成下游热电堆测温元件；所述中心热源层热电偶（4）构成中心热源；所述上游热电堆测温元件还包括沿芯片第一轴向剖面对称设置的上游热电堆测温正电极（3d）和上游热电堆测温负电极（3e）；所述下游热电堆测温元件还包括沿芯片第一轴向剖面对称设置的下游热电堆测温正电极（5d）和下游热电堆测温负电极（5e）；所述中心热源还包括沿芯片第一轴向剖面对称设置的中心加热正电极（4a）和中心加热负电极（4b）；各所述上游测温热电堆下层热电偶（3a）、各所述上游测温热电堆中层热电偶（3b）和各所述上游测温热电堆上层热电偶（3c）的宽度依次减小；各所述下游测温热电堆下层热电偶（5a）、各所述下游测温热电堆中层热电偶（5b）和各所述下游测温热电堆上层热电偶（5c）的宽度依次减小。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡芯感智科技股份有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区滴翠路100-17号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。