桂林电子科技大学李琦获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种褶皱环栅SOI LDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117276316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311429491.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种褶皱环栅SOI LDMOS器件是由李琦;管理;陈永和;翟江辉;李海鸥;崔现文;程识;叶健;李佩;牛玉龙设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种褶皱环栅SOI LDMOS器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种褶皱环栅SOILDMOS器件，利用环表面栅、埋栅和槽栅共同形成褶皱环栅结构，这样的褶皱环栅结构显著增加了SOILDMOS器件沟道的有效长度以及宽度，缓解了因沟道长度和宽度的限制所导致的器件的耐压和导通电阻之间的矛盾，在耐压的前提下，有效地降低了器件的导通电阻，提高整体导通性能，同时能够增加电流通量，并提供更好的热传导和散热能力，对于器件性能的改善具有重要意义。此外，该褶皱环栅结构与传统功率集成电路工艺兼容，在一定程度上解决了沟道宽度较小的SOILDMOS器件在工艺上的挑战，适合SOI智能功率集成电路的发展要求。
本发明授权一种褶皱环栅SOI LDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种褶皱环栅SOILDMOS器件，包括衬底层（1）、埋氧层（2）、沟道区（3）、漂移区（4）、漏极区（5）、源极区（6）、环表面栅（7）、埋栅（8）、源极、漏极和栅极；埋氧层（2）设置于衬底层（1）的上方；沟道区（3）与漂移区（4）设置于埋氧层（2）上方，且沟道区（3）与漂移区（4）相邻接；源极区（6）处于沟道区（3）中；漏极区（5）处于漂移区（4）中；埋栅（8）横向嵌入埋氧层（2）内，并位于沟道区（3）的正下方；环表面栅（7）环设于沟道区（3）的外表面，且环表面栅（7）的整个内表面与沟道区（3）的整个外表面之间通过绝缘介质（10）相连；埋栅（8）与环表面栅（7）之间通过电极线（11）连通；源极S从源极区（6）引出，漏极D从漏极区（5）引出，栅极G从环表面栅（7）引出；其特征是，还包括至少一个槽栅（9）；槽栅（9）垂直或倾斜嵌入沟道区（3）内；槽栅（9）的上表面与环表面栅（7）直接相连连通。
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