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龙图腾网获悉浙江汇隆晶片技术有限公司申请的专利一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117318660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311247451.0，技术领域涉及：H03H9/19；该发明授权一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法是由叶国萍;辜批林;李杰设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及石英晶体谐振器领域，具体公开了一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法，所述凹腔体结构光刻高基频晶片的材质为石英，且其厚度为8μm‑30μm，所述凹腔体结构光刻高基频晶片呈长方形设置；本发明中通过Wafer晶片在离子溅射镀膜时在磁场较弱区设计遮蔽装置，使该区域溅射出的金离子，吸附在遮蔽装置上，而不会溅射到Wafer晶片上，从而达到Wafer晶片在行进过程中，始终在磁场较强区，直线接收溅射区域的金离子，使石英晶体频率片初始频率偏差可以控制在‑9000ppm～‑3000ppm，全距可以控制在6000ppm以内，使石英晶片经过腐蚀后，不仅表面平整度和频率大大提升，而且谐振电阻得到降低。

本发明授权一种凹腔体结构光刻高基频晶片及其石英晶体谐振器制备方法在权利要求书中公布了：1.石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、研磨抛光：将切割好的Wafer晶片，通过打磨和抛光，使其厚度控制在一定的范围内；步骤二、Wafer片镀膜：将步骤一中研磨抛光好的Wafer晶片，通过离子溅镀技术，覆盖上一层金属层，给与Wafer晶片上的石英晶体频率片一个初始频率；步骤三、凹腔电极制作；步骤四、裂片点胶；步骤五、频率精调；步骤六、封焊；步骤七、老化测试；所述步骤一中抛光研磨包括以下步骤：A1、将晶棒切割成3寸Wafer晶片，切割角度为35°8′-35°29′，厚度控制在0.1-0.12mm；A2、将A1切割成的晶片放置到研磨机治具中进行固定；A3、将标准块放入到测厚仪中，并完成校准；A4、将目标厚度输入到测试系统中；A5、将配比好的研磨液抽入到研磨机中进行研磨；A6、切片；A7、对研磨尺寸和平整度进行检测；所述步骤二中离子溅镀包括以下步骤：I、将步骤一研磨抛光完成的Wafer晶片，装入设计好的治具，做好定位；II、将步骤I定位好的晶片送入镀膜设备的待烘烤区，烘烤完成后送入到待镀膜区，在镀膜开始前，输入溅射目标频率，开始抽真空至6.7×10-3pa后进行离子溅射镀膜，镀膜材质为铬靶和金靶；所述步骤三中凹腔电极制作包括以下步骤：S1、光刻胶准备：将研磨好的Wafer晶片放置到涂胶旋转平台上，再将光刻胶注入到专用针管内，然后通过针管注射到Wafer晶片表面，随着旋转平台的运行，使光刻胶均匀分布在Wafer晶片表面，旋转平台转速设置：2000rmin，光刻胶涂膜量为0.6ml；S2、烘烤：将步骤S1中涂膜光刻胶的Wafer晶片，放入烘烤设备，进行烘烤，烘烤温度为75-85℃，持续时间80-100s；S3、对涂有光刻胶的Wafer晶片进行曝光和显影；S4、湿法刻蚀：使用氢氟酸HF作为湿法刻蚀溶液，并添加氟化铵作为缓冲剂，氢氟酸与氟化铵的比例为60％：40％；刻蚀速率为100nmmin,最终形成凹腔，凹腔部位厚度为3-20μm，反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体；S5、去除光刻胶：采用丙酮浸泡去除光刻胶。

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