安徽工业大学杨阳获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽工业大学申请的专利一种基于渗氮层基体表面相组成调控高效沉积制备非晶碳膜的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116949389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310963722.6，技术领域涉及：C23C8/38；该发明授权一种基于渗氮层基体表面相组成调控高效沉积制备非晶碳膜的方法及其应用是由杨阳;李杰;张世宏;郑军;赵栋才设计研发完成，并于2023-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于渗氮层基体表面相组成调控高效沉积制备非晶碳膜的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及复合涂层制备技术领域，具体涉及一种基于渗氮层基体表面相组成调控高效沉积制备非晶碳膜的方法及其应用，本发明在等离子氮化系统中，利用高温等离子体渗氮，后接低温等离子体镀碳膜技术，通过精准调控基体渗氮层表面相组成及其相对含量诱导后续非晶碳膜的高效沉积，该方法可以提高碳膜的生长效率以及膜基结合力，获得性能优异的减摩耐磨复合涂层从而改善工件的摩擦磨损性能，形成一种在等离子体氮化系统中高温等离子体渗氮后接低温等离子体镀碳膜一步法原位高效制备渗氮层非晶碳膜复合涂层的低成本复合技术，并将其应用在机械和结构零部件等关键构件领域。
本发明授权一种基于渗氮层基体表面相组成调控高效沉积制备非晶碳膜的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于渗氮层基体表面相组成调控高效沉积制备非晶碳膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，基体预处理：将基体钢材料表面用砂纸打磨抛光至镜面，在酒精和丙酮溶液中清洗干净备用；S2，高温等离子体渗氮：将步骤S1得到的样品放入等离子体氮化系统中进行渗氮处理，通入氢气或氩气升温，待温度升至设定值通入渗氮源气体氮气和氢气，控制气压和源气体流量，进行渗氮保温；S3，氩离子等离子体轰击活化：待步骤S2中的渗氮保温结束后，停止通入渗氮源气体，通入氩气，在炉温降低的同时，实现氩离子轰击；S4，低温等离子体镀碳膜：待温度降低至200℃以下时，开启电压，通入碳源气体和氢气，控制气压和碳源气体、氢气流量，进行非晶碳膜的沉积，沉积后试样随炉冷却至室温，取出试样；所述步骤S2中的高温等离子体渗氮过程中氮气与氢气比例为3:1，电压为800V，渗氮温度为520℃，气压为220Pa，保温时间为8h。
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