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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利键合方法及键合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116864405B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310774100.9，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权键合方法及键合结构是由庄凌艺;季宏凯设计研发完成，并于2023-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本键合方法及键合结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种键合方法及键合结构。所述键合方法包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一介质层、以及暴露于第一介质层的表面的第一导电层，第二晶圆包括第二介质层、以及暴露于第二介质层的表面的第二导电层；对第一晶圆和第二晶圆进行表面处理，形成覆盖第一介质层的第一键合层、以及覆盖第一导电层的第一处理层，并形成覆盖第二介质层的第二键合层、以及覆盖第二导电层的第二处理层；去除第一处理层和第二处理层，并键合连接第一键合层与第二键合层，以及键合连接第一导电层和第二导电层。本公开增强了键合结构的键合强度。

本发明授权键合方法及键合结构在权利要求书中公布了：1.一种键合方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一介质层、以及暴露于所述第一介质层的表面的第一导电层，所述第二晶圆包括第二介质层、以及暴露于所述第二介质层的表面的第二导电层；对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行表面处理，形成覆盖所述第一介质层的第一键合层、以及覆盖所述第一导电层的第一处理层，并形成覆盖所述第二介质层的第二键合层、以及覆盖所述第二导电层的第二处理层；所述第一晶圆还包括第一互连结构和第一垫片，所述第一互连结构与所述第一导电层背离所述第一处理层的一侧连接，并位于所述第一导电层和所述第一垫片之间，与所述第一垫片电连接；所述第二晶圆还包括第二互连结构和第二垫片，所述第二互连结构与所述第二导电层背离所述第二处理层的一侧连接，并位于所述第二导电层和所述第二垫片之间，与所述第二垫片电连接；键合所述第一晶圆和所述第二晶圆，使得所述第一键合层与所述第二键合层键合连接；朝向所述第一垫片和所述第二垫片发射第三激光信号，使得所述第一垫片和所述第二垫片的温度升高并产生热量，所述热量分别沿着所述第一互连结构和所述第一导电层传递至所述第一处理层，沿着所述第二互连结构和所述第二导电层传递至所述第二处理层，使得所述第一处理层和所述第二处理层温度升高被去除，并键合连接所述第一导电层和所述第二导电层。

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