买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利生长在碳基材料上的氮掺杂单层无定型碳插层的MoX₂纳米片及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116947103B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310599803.2，技术领域涉及：C01G39/06；该发明授权生长在碳基材料上的氮掺杂单层无定型碳插层的MoX₂纳米片及其应用是由许俊;汤衡;蒋俊保;李苏皖;张彦;陈俊伟设计研发完成，并于2023-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本生长在碳基材料上的氮掺杂单层无定型碳插层的MoX₂纳米片及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了生长在碳基材料上的氮掺杂单层无定型碳插层的MoX2纳米片及其应用，是以碳基材料为载体，在相邻的两个MoX2单分子层之间插入单层NAC，其具有双重效应：它不仅可以增宽MoX2的层间距，便于快速的钠离子插入脱出；而且还可以改善MoX2的表面和内部的电子传导性，以充分加速电子的传输；另外，独特的纳米结构和碳基材料导电网络组成的分层结构是一个坚固的框架，具有出色的纳米结构稳定性。本发明所得产物结构独特、形貌规则、成分均一、无杂质相，且电化学特性优异。

本发明授权生长在碳基材料上的氮掺杂单层无定型碳插层的MoX₂纳米片及其应用在权利要求书中公布了：1.生长在碳基材料上的氮掺杂单层无定型碳插层的MoX2纳米片的制备方法，X为Se或S，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、称取1.5-2.5mmolSe粉和4-8mmolNaBH4加入到3-10mL的乙醇溶液中，随后用封口胶密封烧杯，搅拌1-20分钟，得到硒离子溶液；或：称取2-5mmolCH4N2S加入到3-10mL的去离子水中，搅拌1-20分钟，得到硫离子溶液；以所述硒离子溶液或所述硫离子溶液作为溶液A；步骤2、取30-60mg碳基材料加入到15-30mL的去离子水中超声0.1-5小时，再搅拌0.1-2小时，继续加入0.1-0.2mmol的NH46Mo7O24·4H2O搅拌1-30分钟，得到溶液B；步骤3、向所述溶液B中依次加入1-6mL的乙二胺和1-8g的葡萄糖，搅拌1-15分钟，得到溶液C；步骤4、将所述溶液C迅速转移至溶液A中，用封口胶密封烧杯，搅拌1-8分钟，获得混合溶液；将所述混合溶液转移到反应釜中并在160-220℃下反应12-24小时，得初始产物；步骤5、将所述初始产物离心清洗后置于真空干燥箱干燥，获得中间产物；步骤6、将所述中间产物置于管式炉中，然后在真空环境下升温至700-900℃，保温1-3小时，最后冷却至室温，即获得目标产物生长在碳基材料上的氮掺杂单层无定型碳插层的MoX2纳米片；当选用硒离子溶液作为溶液A时，获得MoSe2纳米片；当选用硫离子溶液作为溶液A时，获得MoS2纳米片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥工业大学，其通讯地址为：230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。