长鑫存储技术有限公司范增焰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利封装叠层结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116453964B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310449607.7，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权封装叠层结构及其制备方法是由范增焰设计研发完成，并于2023-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装叠层结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种封装叠层结构及其制备方法。该封装叠层结构的制备方法包括如下步骤：提供第一封装件和第二封装件，第一封装件包括连接垫，第二封装件包括连接件；在第一封装件上制备露出连接垫的图案层；将第二封装主体上的连接件焊接在连接垫上；移除图案层；在第一封装件与第二封装件之间填充包覆连接件的支撑层。该封装叠层结构的制备方法通过制备能够去除的图案层以预留充足的操作空间，不仅能够有效降低后续制备支撑层的难度，还便于在制备支撑层时排出第一封装件和第二封装件之间的气体，能够有效地改善或避免再次填充导致的空洞问题。
本发明授权封装叠层结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种封装叠层结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一封装件和第二封装件，所述第一封装件包括连接垫，所述第二封装件包括连接件；在所述第一封装件上制备露出所述连接垫的图案层；将所述第二封装件上的连接件焊接在所述连接垫上；移除所述图案层；在所述第一封装件与所述第二封装件之间填充包覆所述连接件的支撑层；其中，形成所述图案层的步骤包括：在所述第一封装件上制备覆盖所述连接垫的图案材料层；对所述图案材料层进行掺杂处理，掺杂处理所用的掺杂元素包括硼元素和磷元素中的一种或多种；刻蚀所述图案材料层，得到露出所述连接垫的开口，形成所述图案层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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