常州大学陈智慧获国家专利权
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龙图腾网获悉常州大学申请的专利作为电介质材料的具有高储能和充放电性能的B位高熵陶瓷及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116425543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310405039.0，技术领域涉及：C04B35/50；该发明授权作为电介质材料的具有高储能和充放电性能的B位高熵陶瓷及制备方法是由陈智慧;刘晴晴;任玉荣;邱建华;朱媛媛设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本作为电介质材料的具有高储能和充放电性能的B位高熵陶瓷及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于储能材料领域，具体涉及一种作为电介质材料的具有高储能和充放电性能的B位高熵陶瓷及制备方法。该陶瓷材料的化学式为Ba1‑3x2BixTi0.2Ce0.2Nb0.2Sn0.2Y0.2O3。首先依据化学计量比称量混合，依次采用球磨、干燥、煅烧、二次球磨、造粒成型、排胶、烧结得到。该B位高熵陶瓷作为电介质材料电流密度CD最高可达到857.3Acm2，功率密度PD可达到60MWcm3，并且具有极短的放电时间，t0.9约为118ns。该材料制备工艺简单，成本低，符合无铅环保要求，在脉冲功率系统中用于充当介质电容器的电介质。
本发明授权作为电介质材料的具有高储能和充放电性能的B位高熵陶瓷及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高储能和充放电性能的B位高熵陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法步骤如下：（1）以碳酸钡、三氧化二铋、二氧化钛、二氧化铈、五氧化二铌、二氧化锡、氧化钇为原料，按照化学式Ba1-3x2BixTi0.2Ce0.2Nb0.2Sn0.2Y0.2O3称取，并依次经过球磨、干燥、研磨、1050℃煅烧2小时；其中，0.01≤x≤0.07；（2）将煅烧后的粉体进行二次球磨，干燥，加入聚乙烯醇溶液造粒，压制成陶瓷圆片；（3）将制成的陶瓷圆片排胶，烧结得到具有高储能和充放电性能的B位高熵陶瓷；所述的烧结温度为1200-1300℃，升温速率为3°min，保温时间为3小时。
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