复旦大学张鹏浩获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利增强型氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310219230.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权增强型氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备是由张鹏浩;王路宇;徐敏;潘茂林;王强;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本增强型氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件，在p‑GaN层与栅极金属层之间设置栅介质层。由于栅介质层和p‑GaN层所具有的导带差可以提升AlGaNGaN异质结处的势陷位置，使其进一步远离费米能级，从而可有效提高阈值电压，同时栅介质的引入可改善增强型氮化镓功率器件的栅漏电，解决现有的增强型氮化镓功率器件的栅压摆幅较小的问题。
本发明授权增强型氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种增强型氮化镓功率器件，其特征在于，包括：衬底；外延结构，所述外延结构包括沿背离所述衬底的方向依次形成于所述衬底上的层叠的AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层；p-GaN层，形成于所述AlGaN势垒层的第一区域上；栅介质层，覆盖所述p-GaN层及所述AlGaN势垒层的其它区域；所述其它区域为除所述第一区域外的AlGaN势垒层；源极欧姆接触电极与漏极欧姆接触电极，贯穿所述栅介质层后与所述AlGaN势垒层接触，且所述源极欧姆接触电极与所述漏极欧姆接触电极分别位于所述p-GaN层的两侧；栅极金属层，形成于所述栅介质层上，位于所述p-GaN层的正上方且与所述p-GaN层相匹配；钝化层，所述钝化层覆盖所述栅极金属层、所述源极欧姆接触电极、所述漏极欧姆接触电极以及所述栅介质层；金属互联层，包括源极金属互联层、漏极金属互联层以及栅极金属互联层，所述源极金属互联层、漏极金属互联层以及栅极金属互联层贯穿所述钝化层后分别与所述源极欧姆接触电极、漏极欧姆接触电极以及栅极金属层电性连接。
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