重庆邮电大学张红升获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种基于CMOS工艺的低功耗负压电荷泵电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116032115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310197431.0，技术领域涉及：H02M3/07；该发明授权一种基于CMOS工艺的低功耗负压电荷泵电路是由张红升;谢添;郑铭徽设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于CMOS工艺的低功耗负压电荷泵电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于CMOS工艺的低功耗负压电荷泵电路，属于射频集成电路设计领域。该电路包括时钟缓冲器、分频器、电荷泵和计数器。其中电荷泵包括第一电荷泵和第二电荷泵，第一电荷泵和第二电荷泵在不同频率下工作，并通过计数器选择第一电荷泵或第二电荷泵进行工作；时钟缓冲器分别与分频器和第一电荷泵连接；分频器分别与计数器和第二电荷泵连接；计数器与第一电荷泵连接，同时计数器输出端连接到其输入端，形成反馈环路；电荷泵与电路负载连接。本发明通过将电路工作频率维持在低频状态，从而实现电荷泵的低功耗。
本发明授权一种基于CMOS工艺的低功耗负压电荷泵电路在权利要求书中公布了：1.一种基于CMOS工艺的低功耗负压电荷泵电路，其特征在于：包括时钟缓冲器、分频器、电荷泵和计数器；所述电荷泵包括第一电荷泵和第二电荷泵，第一电荷泵和第二电荷泵在不同频率下工作，并通过所述计数器选择第一电荷泵或第二电荷泵进行工作；所述时钟缓冲器分别与所述分频器和第一电荷泵连接；所述分频器分别与所述计数器和第二电荷泵连接；所述计数器与所述第一电荷泵和第二电荷泵连接，同时计数器输出端连接到其输入端，形成反馈环路；所述电荷泵与电路负载连接；所述第一电荷泵和第二电荷泵结构相同；第一电荷泵或第二电荷泵包括PMOS管M1和M3、NMOS管M2和M4、充放电电容C1和C2以及滤波电容CL；PMOS管M1和M3的漏极均接地；PMOS管M1的栅极分别与NMOS管M2的栅极、PMOS管M3的源极、NMOS管M4的漏极以及电容C2的第一端连接，PMOS管M1的源极分别与NMOS管M2的漏极、PMOS管M3的栅极、NMOS管M4的栅极以及电容C1的第一端连接；NMOS管M2和M4的源极均接地；电容C1和C2的第二端分别接入时钟信号。
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