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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410705213.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由大辻通也;中村浩尚;大河亮介;安田英司设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置具备纵型场效应晶体管，该纵型场效应晶体管具有低浓度杂质层33、体区域18、在与低浓度杂质层33的上表面平行的第1方向上延伸的栅极沟槽17、形成在栅极沟槽17的内部的栅极绝缘膜16和形成在栅极绝缘膜16上的栅极导体15，体区域18包括将有源区域包含在内且深度为一定的第1体部分181、以及与第1体部分181邻接、以在低浓度杂质层33的上表面中与第1方向正交的第2方向上为有限的长度而具有在比第1体部分181的深度浅的位置为一定的区间的第2体部分182，第2体部分182在与第2方向垂直的平面的剖视中具有沿着第1方向交替且周期性地出现杂质相对为高浓度的区域和相对为低浓度的区域的部分。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于，具备纵型场效应晶体管，该纵型场效应晶体管具有：第1导电型的半导体基板，包含第1导电型的杂质；第1导电型的低浓度杂质层，在上述半导体基板上与其相接而形成，包含比上述半导体基板的上述第1导电型的杂质浓度低浓度的上述第1导电型的杂质；与上述第1导电型不同的第2导电型的体区域，形成于上述低浓度杂质层；上述第1导电型的源极区域，形成于上述体区域；栅极沟槽，从上述低浓度杂质层的上表面形成到将上述体区域贯通而达到上述低浓度杂质层的一部分中的深度，在与上述低浓度杂质层的上表面平行的第1方向上延伸；栅极绝缘膜，形成在上述栅极沟槽的内部；以及栅极导体，在上述栅极沟槽的内部形成在上述栅极绝缘膜上；设上述低浓度杂质层的上表面中与上述第1方向正交的方向为第2方向，设与上述第1方向及上述第2方向都正交的方向为第3方向时，上述体区域包括：第1体部分，在上述低浓度杂质层的平面视图中，将形成导通沟道的有源区域包含在内，距上述低浓度杂质层的上表面的深度是一定的；以及第2体部分，在上述平面视图中，在将上述有源区域包围的外周区域侧与上述第1体部分邻接，以在上述第2方向上为有限的长度而具有距上述低浓度杂质层的上表面的深度在比上述第1体部分的深度浅的位置成为一定的区间，上述第2体部分，在包含上述第1方向和上述第3方向的平面的剖视中，具有沿着上述第1方向交替且周期性地出现上述第2导电型的杂质相对为高浓度的区域和上述第2导电型的杂质相对为低浓度的区域的部分。

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