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龙图腾网获悉燕山大学申请的专利基于半导体温控的双程形状记忆铰链装置及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116002076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310002820.3，技术领域涉及：B64G1/22；该发明授权基于半导体温控的双程形状记忆铰链装置及其使用方法是由郭保苏;丁世琛;张永;吴凤和;温银堂;张玉燕设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于半导体温控的双程形状记忆铰链装置及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于半导体温控的双程形状记忆铰链装置，在伸展组件中，包括控温半导体层、形状记忆合金层和形状记忆聚合物层，控温半导体层位于形状记忆合金层和形状记忆聚合物层之间。控温半导体层，包括制冷半导体晶粒、柔性隔热材料、铜片和柔性导热材料，制冷半导体晶粒成对存在，相邻的制冷半导体晶粒之间设有柔性隔热材料，位于制冷半导体晶粒两端的铜片分别通过柔性导热材料与形状记忆合金层和形状记忆聚合物层的贴合面连接。本发明通过改变制冷半导体晶粒的电流方向分别控制形状记忆合金层或者形状记忆聚合物层的温度，实现伸展组件的重复可控形变，易于实现自锁定与自展开功能，具有展开冲击小和刚度大的优点。

本发明授权基于半导体温控的双程形状记忆铰链装置及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种基于半导体温控的双程形状记忆铰链装置，其包括伸展组件和夹具，所述伸展组件为平板型，所述伸展组件的两侧对称设有夹具，其特征在于，所述伸展组件，其包括控温半导体层和形状记忆材料层，所述形状记忆材料层，其包括形状记忆合金层和形状记忆聚合物层，所述控温半导体层位于所述形状记忆合金层和所述形状记忆聚合物层之间，所述控温半导体层实现伸展组件中热流的主动控制，使所述形状记忆合金和所述形状记忆聚合物交替实现形状记忆效应；所述控温半导体层，其包括制冷半导体晶粒、柔性隔热材料、铜片和柔性导热材料，所述制冷半导体晶粒成对存在，相邻的所述制冷半导体晶粒之间设有所述柔性隔热材料，位于所述制冷半导体晶粒两端的铜片分别通过柔性导热材料与所述形状记忆合金层和所述形状记忆聚合物层的贴合面连接；所述制冷半导体晶粒沿伸展组件的弯曲方向以间距为1.3mm～6.2mm分布，所述制冷半导体晶粒在垂直于伸展组件的弯曲方向以间距为1mm～4mm分布，从而保证所述制冷半导体晶粒的填充率以及制冷制热功率；所述伸展组件的弯曲中性面位于所述控温半导体层的内部，在所述伸展组件中形状记忆合金层的应变表达式为： 所述伸展组件中形状记忆聚合物层的应变表达式为： 所述伸展组件中控温半导体层的应变表达式为： 当伸展组件处于收拢状态时，所述形状记忆合金层具有最大应变，具体表达式如下： 当伸展组件处于展开状态时，所述控温半导体层具有最大应变，具体表达式如下： 当伸展组件处于展开状态时，所述形状记忆聚合物层具有最大应变，具体表达式如下： 其中，εSMAmax、εSMAmin分别为伸展组件中形状记忆合金层的最大应变和最小应变，εSMPmax、εSMPmin分别为伸展组件中形状记忆聚合物层的最大应变和最小应变，ε控温max、ε控温min分别为伸展组件中控温半导体层的最大应变和最小应变，ρt为伸展组件的弯曲中性面的弯曲半径，a为形状记忆合金层的厚度，b1为伸展组件的弯曲中性面到形状记忆合金层贴合面的距离，ρ为伸展组件制造时的弯曲半径，c为形状记忆聚合物层厚度，b2为伸展组件的弯曲中性面到形状记忆聚合物层贴合面的距离，ρ1为伸展组件在展开状态下弯曲半径。

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