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龙图腾网获悉成都亚光电子股份有限公司申请的专利一种基于金属陶瓷腔体的上锡结构及上锡方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115870577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211708296.3，技术领域涉及：B23K1/20；该发明授权一种基于金属陶瓷腔体的上锡结构及上锡方法是由王杰;彭浩洋;付江蔚;周斌设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于金属陶瓷腔体的上锡结构及上锡方法在说明书摘要公布了：本发明公开提供了一种基于金属陶瓷腔体的上锡结构及上锡方法，涉及电子封装技术领域。其中，基于金属陶瓷腔体的上锡结构包括上锡件、定位底座和上锡底座；上锡件包括上锡主体、上锡针和定位针，上锡主体包括板体和边壁，板体和边壁共同形成容置腔，多个上锡针间隔设置在容置腔内，多个上锡针用于与金属陶瓷腔体内的待点锡点一一对应；定位底座包括容置槽和第一定位孔，定位针的一端与边壁连接，定位针的另一端用于插入第一定位孔；上锡底座包括置锡槽和第二定位孔，第二定位孔用于供定位针插入。本公开不仅能够有效地提高上锡效率，而且由于多个上锡针结构近似，上锡量也相似，能够有效地保证每个待上锡点的上锡效果。

本发明授权一种基于金属陶瓷腔体的上锡结构及上锡方法在权利要求书中公布了：1.一种基于金属陶瓷腔体的上锡结构，其特征在于，包括：上锡件1，所述上锡件1包括上锡主体11、安装在所述上锡主体11上的多个上锡针12、以及安装在所述上锡主体11上的定位针13，所述上锡主体11包括板体111和连接在所述板体111边缘的边壁112，所述板体111和所述边壁112共同形成容置腔113，多个所述上锡针12间隔设置在所述容置腔113内并与所述板体111连接，且所述边壁112的最低点低于所述上锡针12的最低点，多个所述上锡针12用于与金属陶瓷腔体100内的待点锡点102一一对应；定位底座2，所述定位底座2包括容置槽21和形成在所述容置槽21内的第一定位孔22，所述容置槽21用于容纳金属陶瓷腔体100，所述定位针13的一端与所述边壁112连接，所述定位针13的另一端用于插入所述第一定位孔22；上锡底座3，所述上锡底座3包括置锡槽31和第二定位孔32，所述置锡槽31的形状与多个所述上锡针12所围成的结构的形状相匹配，所述第二定位孔32设置在上锡底座3上且位于所述置锡槽31的外部，所述第二定位孔32用于供所述定位针13插入。

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