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龙图腾网恭喜上海新硅聚合半导体有限公司申请的专利一种复合衬底结构及其形貌改善方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242766B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111312110.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种复合衬底结构及其形貌改善方法是由欧欣;陈阳;黄凯设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合衬底结构及其形貌改善方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料加工技术领域，特别涉及一种复合衬底结构及其形貌改善方法。结构包括依次设置的第一应力平衡层、衬底层、第二应力平衡层、介质层和功能薄膜层；第一应力平衡层和第二应力平衡层材质相同，且制作工艺相同；第一应力平衡层用于根据复合衬底结构中的应力分布调整第一应力平衡层的厚度，以使复合衬底结构的形貌改善；第二应力平衡层用于平衡制作第一应力平衡层时所产生的应力。该复合衬底结构中，通过在衬底层的背面设置第一应力平衡层，第一应力平衡层作为应力补偿层，在制备异质集成衬底时，通过调节该层的厚度实现晶圆形貌的优化，从而使异质晶圆的整体形貌能够更有利于后续的流片加工。

本发明授权一种复合衬底结构及其形貌改善方法在权利要求书中公布了：1.一种复合衬底结构，其特征在于，包括第一应力平衡层（101）、衬底层（102）、第二应力平衡层（103）、介质层（104）和功能薄膜层（105）；所述衬底层（102）设置在所述第一应力平衡层（101）和第二应力平衡层（103）之间；所述介质层（104）制作在所述第二应力平衡层（103）上，所述介质层（104）用于提供所述功能薄膜层（105）的键合界面；所述功能薄膜层（105）制作在所述介质层（104）上，所述功能薄膜层（105）用于制作器件功能结构；所述第一应力平衡层（101）和所述第二应力平衡层（103）材质相同；所述第一应力平衡层（101）和所述第二应力平衡层（103）通过相同工艺且同时分别制作在所述衬底层（102）相对的两个侧面上；所述第一应力平衡层（101）用于根据所述复合衬底结构中的应力分布调整所述第一应力平衡层（101）的厚度，以调节所述复合衬底结构中的应力分布，改善所述复合衬底结构的弯曲情况，使所述复合衬底结构具有平整的形貌；所述第一应力平衡层（101）的厚度为0-2μm；所述第二应力平衡层（103）用于平衡制作所述第一应力平衡层（101）时所产生的应力；所述第二应力平衡层（103）的厚度为0.5-2μm；所述第一应力平衡层（101）的厚度小于等于所述第二应力平衡层（103）的厚度；且所述第一应力平衡层（101）内部的面内应力小于所述第二应力平衡层（103）内部的面内应力；所述功能薄膜层（105）内部的面内应力与所述第一应力平衡层（101）内部的面内应力方向相反；所述功能薄膜层（105）内部的面内应力与所述第二应力平衡层（103）内部的面内应力方向相反。

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