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龙图腾网恭喜江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司申请的专利超低压触发器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111710674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010602937.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权超低压触发器件及其制作方法是由杨珏琳;宋文龙;李泽宏;张鹏设计研发完成，并于2020-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本超低压触发器件及其制作方法在说明书摘要公布了：超低压触发器件，包括从下到上依次为背面金属电极、P+衬底层、N型外延层、绝缘介质层、正面金属层，N型外延层端面一边到另一边依次设P+隔离层、N+多晶硅和P型基区；P+隔离层穿通至P+衬底层；N+多晶硅、P型基区两个区域中均设P+源区、N+源区。超低压触发器件的制作方法，包括如下步骤：淀积N型外延层；高温推进形成P+隔离层；淀积N+多晶硅，露出N型外延层；推结形成P型基区；在N+多晶硅、P型基区区域中，形成P+源区，随后光刻注入高浓度N型杂质形成N+源区；淀积绝缘介质层，完成正面金属层；淀积背面金属电极。本发明有效减少成本及触发电压，拥有超低触发电压及强泄放电荷能力。

本发明授权超低压触发器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.超低压触发器件，其特征在于：包括背面金属电极（111），背面金属电极（111）上设P+衬底层（101），P+衬底层（101）上淀积N型外延层（102）；在N型外延层（102）左侧边缘设有P+隔离层（103），在N型外延层（102）右侧设有推结形成的P型基区（106）；在P+隔离层（103）与P型基区（106）之间设有N+多晶硅（105），N型外延层（102）与N+多晶硅（105）之间设有热氧化层（104）；P+隔离层（103）穿通至P+衬底层（101）；N+多晶硅（105）、P型基区（106）两个区域中均设P+源区（107），然后在P+隔离层（103）与N+多晶硅（105）之间、N+多晶硅（105）和P型基区（106）区域中的P+源区（107）侧注入N型杂质形成N+源区（108）；N型外延层（102）上淀积绝缘介质层（109），绝缘介质层（109）上刻蚀正面金属层（110）；所述P+衬底层（101）、N型外延层（102）形成D1，P+源区（107）、N+源区（108）形成D2，D1与D2形成二极管串；所述P+衬底层（101）、N型外延层（102）、P型基区（106）、P+隔离层（103）与N+多晶硅（105）之间的N+源区（108）形成PNPN型晶闸管。

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