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龙图腾网恭喜IEE国际电子工程股份公司申请的专利用于制造基于箔的压力传感器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112970084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980073017.0，技术领域涉及：H01H3/14；该发明授权用于制造基于箔的压力传感器的方法是由S·舒勒;G·格德特;M·马辛;R·贝纳;K-P·施米茨;H·朔恩设计研发完成，并于2019-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造基于箔的压力传感器的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及用于制造基于箔的压力传感器1的方法。为了促进对基于箔的压力传感器中的传感器单元的导通点的精确设置，本发明提供了所述方法，所述方法包括：‑提供具有底部箔3和设置在底部箔3上的至少一个底部电极4、6、8的底部元件2，‑提供多个顶部元件20，每个顶部元件20包括具有设置在顶部箔21之下的至少一个顶部电极22的顶部箔21，顶部元件20的组合面积小于底部元件2的面积，‑将顶部元件20单独放置并且将顶部元件20至少间接地连接至底部元件2，从而每个顶部元件20的至少一个顶部电极22设置在底部元件2的至少一个底部电极4、6、8之上，以形成传感器单元30，该传感器单元30适于在作用于传感器单元30的压力pext超过导通点时被激活，其中，对于至少一个传感器单元30，通过从多个位置A1、A2、B1、B2选择顶部元件20的位置A1、A2、B1、B2而调整导通点，传感器单元30在所述多个位置中工作，但是所述多个位置的导通点不同。

本发明授权用于制造基于箔的压力传感器的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造基于箔的压力传感器1的方法，包括：-提供具有底部箔3和设置在所述底部箔3上的至少一个底部电极4、6、8的底部元件2，-提供多个顶部元件20，每个顶部元件20包括顶部箔21，所述顶部箔21具有设置在所述顶部箔21之下的至少一个顶部电极22，所述顶部元件20的组合面积小于所述底部元件2的面积，其中，所述至少一个顶部电极与所述至少一个底部电极垂直隔开，-将所述顶部元件20单独放置并且将所述顶部元件20至少间接地连接至所述底部元件2，从而每个顶部元件20的至少一个顶部电极22设置在所述底部元件2的至少一个底部电极4、6、8之上，以形成传感器单元30，所述传感器单元30适于在作用于所述传感器单元30的压力超过导通点时被激活，其中，对于至少一个传感器单元30，所述导通点通过从多个位置选择顶部元件20的位置而被调整，所述传感器单元30在所述多个位置中工作，但是所述多个位置的导通点不同，其中，所述导通点取决于所述顶部元件相对于所述底部元件的位置，并且其中，所述顶部元件20的位置包括第一位置和第二位置，并且其中，所述导通点通过选择所述顶部元件20的第一位置和第二位置中的一个来调整。

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