恭喜三星电子株式会社李大成获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110634857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910331450.1，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法是由李大成;金雅凛;金珉修;刘钟奎设计研发完成，并于2019-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法在说明书摘要公布了：提供了包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法。根据实施例，集成电路包括半导体衬底、第一至第三电力轨、第一至第三选择栅极线和行连接配线。半导体衬底上的第一至第三电力轨在第一方向上延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上顺序地布置。半导体衬底上的第一至第三选择栅极线在第一电力轨和第二电力轨之间的第一区域以及第二电力轨和第三电力轨之间的第二区域上方沿第二方向延伸，并且在第一方向上顺序地布置。半导体衬底上的行连接配线在第一方向上延伸，以连接第一选择栅极线和第三选择栅极线。
本发明授权包括多倍高度标准单元的集成电路及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：半导体衬底；第一电力轨、第二电力轨和第三电力轨，在第一方向上延伸并且在垂直于所述第一方向的第二方向上顺序地布置在所述半导体衬底上；第一选择栅极线、第二选择栅极线和第三选择栅极线，在所述第一电力轨和所述第二电力轨之间的第一区域以及所述第二电力轨和所述第三电力轨之间的第二区域上方沿所述第二方向延伸，并在所述第一方向上顺序地布置；以及行连接配线，在所述第一方向上延伸以连接所述第一选择栅极线和所述第三选择栅极线，其中所述第二选择栅极线连接所述第一区域中的选择晶体管的第一栅电极和所述第二区域中的选择晶体管的第二栅电极，所述第一栅电极对应于所述第二选择栅极线的一部分，并且所述第二栅电极对应于所述第二选择栅极线的另一部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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