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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364839B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411292813.2，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件是由吴恒;彭莞越;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成堆叠结构，堆叠结构包括有源结构和第一牺牲层；在栅极区域内，形成覆盖堆叠结构的伪栅结构；刻蚀未被伪栅结构覆盖的堆叠结构，以形成第一深槽；基于栅极区域内的第一有源结构，在第一深槽内外延生长出第一源漏结构；去除伪栅结构和第一牺牲层，以暴露栅极区域内的有源结构；在被暴露出的有源结构上沉积栅极介质材料，以形成栅介质层；在第一栅介质层之上沉积金属材料，以形成第一栅电极层；倒片并去除半导体衬底；基于栅极区域内的第二有源结构，在第一深槽内外延生长出第二源漏结构；在第二栅介质层之上沉积金属材料，以形成第二栅电极层。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括有源结构和第一牺牲层，所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；所述第一有源结构、所述第二有源结构和第一牺牲层在第一方向上依次堆叠，所述第一有源结构相比于所述第一牺牲层远离所述半导体衬底，所述第一方向为垂直所述半导体衬底的方向；在所述堆叠晶体管的栅极区域内，形成覆盖所述堆叠结构的伪栅结构；刻蚀未被所述伪栅结构覆盖的所述堆叠结构，以形成第一深槽；基于所述栅极区域内的所述第一有源结构，在所述第一深槽内外延生长出第一源漏结构；去除所述伪栅结构和所述第一牺牲层，以暴露所述栅极区域内的所述有源结构；在被暴露出的所述有源结构上沉积栅极介质材料，以形成栅介质层，所述栅介质层包括第一栅介质层和第二栅介质层，所述第一栅介质层包裹所述第一有源结构，所述第二栅介质层包裹所述第二有源结构；在所述第一栅介质层之上沉积金属材料，以形成第一栅电极层，所述第一栅介质层和所述第一栅电极层共同构成第一栅极结构；倒片并去除所述半导体衬底；基于所述栅极区域内的所述第二有源结构，在所述第一深槽内外延生长出第二源漏结构；在所述第二栅介质层之上沉积金属材料，以形成第二栅电极层，所述第二栅介质层和所述第二栅电极层共同构成第二栅极结构。

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