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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利准垂直JBS二极管及单片集成DRU三相整流单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411279224.0，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权准垂直JBS二极管及单片集成DRU三相整流单元是由侯斌;杨凌;朱宥军;常青原;芦浩;张濛;武玫;杜佳乐;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本准垂直JBS二极管及单片集成DRU三相整流单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种准垂直JBS二极管及单片集成DRU三相整流单元，该准垂直JBS二极管由下至上依次包括Si衬底、N+GaN导通层、N型GaN漂移层；N型GaN漂移层的顶层区域内有呈同心环状分布的槽结构，各槽结构内及N型GaN漂移层侧面设置有掺杂Mg的P型BN材料；N型GaN漂移层表面上设置有阳极；N+GaN导通层的表面上环绕N型GaN漂移层间隔设置有阴极，本发明能提升二极管耐压值。该单片集成DRU三相整流单元电路包括三个交流电输入端、两个整流后直流输出端，及六个整流桥臂分别对应的二极管组，二极管均为该准垂直JBS二极管，可提高集成度，缩小电路体积，提升电路可靠性并拓宽电压应用窗口。

本发明授权准垂直JBS二极管及单片集成DRU三相整流单元在权利要求书中公布了：1.一种单片集成DRU三相整流单元，其特征在于，包括：第一交流电输入端Port1、第二交流电输入端Port2、第三交流电输入端Port3、第一整流后直流输出端Port4、第二整流后直流输出端Port5，以及六个整流桥臂分别对应的二极管组，包括第一相位正向二极管组DG1、第一相位反向二极管组DG2、第二相位正向二极管组DG3、第二相位反向二极管组DG4、第三相位正向二极管组DG5和第三相位反向二极管组DG6；其中，所述第一交流电输入端Port1和所述第一相位正向二极管组DG1的阳极输入端、所述第一相位反向二极管组DG2的阴极输入端相连；所述第二交流电输入端Port2和所述第二相位正向二极管组DG3的阳极输入端、所述第二相位反向二极管组DG4的阴极输入端相连；所述第三交流电输入端Port3和所述第三相位正向二极管组DG5的阳极输入端、所述第三相位反向二极管组DG6的阴极输入端相连；所述第一整流后直流输出端Port4和所述第一相位正向二极管组DG1、所述第二相位正向二极管组DG3、所述第三相位正向二极管组DG5的阴极输入端均相连；所述第二整流后直流输出端Port5和所述第一相位反向二极管组DG2、所述第二相位反向二极管组DG4、所述第三相位反向二极管组DG6的阳极输入端均相连；每个二极管组中的二极管满足同向串联关系，且数量相同，采用准垂直JBS二极管实现，所述准垂直JBS二极管包括：由下至上依次设置的Si衬底、N+GaN导通层、N型GaN漂移层；所述N型GaN漂移层的顶层区域内设置有呈同心环状分布的槽结构，每个槽结构的内部以及所述N型GaN漂移层的侧面设置有掺杂Mg的P型BN材料；设置有槽结构的整个N型GaN漂移层表面上设置有阳极；所述N+GaN导通层的表面上环绕所述N型GaN漂移层间隔设置有阴极。

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