华中科技大学常海欣获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利多元合金二维范德华Ga基磁性晶体、制备与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119162670B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411167254.2，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权多元合金二维范德华Ga基磁性晶体、制备与应用是由常海欣;靳雯设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本多元合金二维范德华Ga基磁性晶体、制备与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及多元合金二维范德华Ga基磁性晶体、制备及应用，属于纳米磁性材料技术领域。本发明磁性晶体材料为Fe1‑xAxaGa1‑yBybTe1‑zCzc，其中x、y和z均大于0小于等于0.9；a＝2～6，b＝0.1～2，c＝0.1～5；A为Ti、V、Cr、Mn、Cu或Zn，B为Al或In，C为S、Se、Br、I或Sb。本发明提供的多元合金二维范德华Ga基磁性晶体为层状材料，层与层之间通过弱的范德华力连接，可通过机械剥离得到多层至单层的纳米片，易于进一步制备纳米尺度的自旋电子器件。根据掺杂元素种类及比例不同，晶体分别表现为铁磁性或反铁磁性，在自旋电子学中具有广泛的应用前景。
本发明授权多元合金二维范德华Ga基磁性晶体、制备与应用在权利要求书中公布了：1.多元合金二维范德华Ga基磁性晶体，其特征在于，所述磁性晶体材料为Fe1-xAxaGa1-yBybTe1-zCzc，其中x、y和z均大于0小于等于0.9；a＝2～6，b＝0.1～2，c＝0.1～5；A为Ti、V、Cr、Mn、Cu或Zn，B为Al或In，C为S、Se、Br、I或Sb；所述多元合金二维范德华Ga基磁性晶体表现为居里温度以下的铁磁性或奈尔温度以下的反铁磁性；所述居里温度的范围为300～500K，所述奈尔温度的范围为200～400K。
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