西安电子科技大学杨凌获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于NiO栅调制的MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411153435.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种基于NiO栅调制的MOSFET器件及其制备方法是由杨凌;侯斌;常青原;马晓华;许家瑞;张濛;武玫;张鹏;郝跃设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于NiO栅调制的MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于NiO栅调制的MOSFET器件及其制备方法，器件包括：自下而上依次设置的衬底层、第一N型GaN层、第二N型GaN层、P型GaN层和第三N型GaN层；栅极台阶，由第三N型GaN层上表面的两端延伸至第二N型GaN层的内部；栅极结构，由第三N型GaN层的上表面延伸至栅极台阶的底部；源极凹槽；源电极；漏电极；NiO调制层，由栅极台阶的底部延伸至第一N型GaN层的上表面。本发明通过NiO调制层耗尽第二N型GaN层的界面态和第二N型GaN层表面的电子，产生耗尽区，扩宽器件的电场分布范围，降低器件的峰值电场强度，提高器件耐压水平。
本发明授权一种基于NiO栅调制的MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于NiO栅调制的MOSFET器件，其特征在于，包括：自下而上依次设置的衬底层1、第一N型GaN层2、第二N型GaN层3、P型GaN层4和第三N型GaN层5；栅极台阶，由所述第三N型GaN层5上表面的两端延伸至所述第二N型GaN层3的内部；栅极结构，由所述第三N型GaN层5的上表面延伸至所述栅极台阶的底部；源极凹槽，由所述第三N型GaN层5的上表面延伸至所述第三N型GaN层5的下表面；源电极8，位于所述源极凹槽内；漏电极9，位于所述第二N型GaN层3两侧的所述第一N型GaN层2的上表面，且所述漏电极9与所述第二N型GaN层3之间存在间隔；NiO调制层10，由所述栅极台阶的底部延伸至所述第一N型GaN层2的上表面。
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