英诺赛科(苏州)半导体有限公司任玉龙获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利一种芯片液冷结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222927479U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421964807.2，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型一种芯片液冷结构是由任玉龙设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片液冷结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种芯片液冷结构。该芯片液冷结构包括：芯片和引线框架；其中，芯片设置有沿厚度方向贯穿芯片的硅通孔；引线框架包括液体冷却框架；液体冷却框架包括第一液冷部和第二液冷部，第一液冷部设置于芯片的第一表面，第二液冷部设置于芯片的第二表面；第一液冷部设置有第一半刻蚀槽，第二液冷部设置有第二半刻蚀槽；第一半刻蚀槽在第一表面上的正投影覆盖第一表面的至少部分，第二半刻蚀槽在第二表面上的正投影覆盖第二表面的至少部分；第一半刻蚀槽与硅通孔连通，且第二半刻蚀槽与硅通孔连通，以形成覆盖芯片的第一表面和第二表面的循环液体通道。本实用新型实施例的技术方案可提高芯片的散热能力，以及芯片的刚度和可靠性。
本实用新型一种芯片液冷结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片液冷结构，其特征在于，包括：芯片和引线框架；其中，所述芯片设置有沿厚度方向贯穿所述芯片的硅通孔；所述引线框架包括液体冷却框架；所述液体冷却框架包括第一液冷部和第二液冷部，所述第一液冷部设置于所述芯片的第一表面，所述第二液冷部设置于所述芯片的第二表面；其中，所述第一表面与所述第二表面相对设置；所述第一液冷部设置有第一半刻蚀槽，所述第二液冷部设置有第二半刻蚀槽；所述第一半刻蚀槽在所述第一表面上的正投影覆盖所述第一表面的至少部分，所述第二半刻蚀槽在所述第二表面上的正投影覆盖所述第二表面的至少部分；所述第一半刻蚀槽与所述硅通孔连通，且所述第二半刻蚀槽与所述硅通孔连通，以形成覆盖所述芯片的所述第一表面和所述第二表面的循环液体通道。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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