广立微(上海)技术有限公司谢博圣获国家专利权
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龙图腾网获悉广立微(上海)技术有限公司申请的专利一种用于检测晶体管沟道断路的测试结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222927498U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421960499.6，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型一种用于检测晶体管沟道断路的测试结构是由谢博圣;刘慧斌;林均铭;张飞虎;王剑;刘国均设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于检测晶体管沟道断路的测试结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种用于检测晶体管沟道断路的测试结构，包括至少两个不同沟道数量的测试单元；测试单元包括一个或多个晶体管；晶体管包括沟道结构和栅极结构，沟道结构包括一个或多个相间隔的沟道；测试单元包括一个晶体管时，通过晶体管中位于栅极结构一侧的沟道结构的两端连出；测试单元包括多个晶体管时，将多个晶体管串联后通过首尾两个晶体管中位于栅极结构同一侧的沟道结构的两端连出。本实用新型提供的测试结构可以用于判断是否存在沟道损坏断路的情况，为采用电学参数测试方法监测单个沟道的工艺提供了可行的方案。
本实用新型一种用于检测晶体管沟道断路的测试结构在权利要求书中公布了：1.一种用于检测晶体管沟道断路的测试结构，其特征在于，包括至少两个不同沟道数量的测试单元；所述测试单元包括一个或多个晶体管；所述晶体管包括沟道结构和栅极结构，所述栅极结构横跨所述沟道结构，所述沟道结构包括一个或多个相间隔的沟道；所述测试单元包括一个晶体管时，通过所述晶体管中位于栅极结构一侧的沟道结构的两端连出；所述测试单元包括多个晶体管时，将所述多个晶体管串联后通过首尾两个晶体管中位于栅极结构同一侧的沟道结构的两端连出；所述不同沟道数量的测试单元是指所述测试单元中晶体管的沟道结构设置的沟道数量不同；同一个所述测试单元中晶体管的沟道结构设置有相同的沟道数量。
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