拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司潘良获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种应用于化学气相沉积的混气装置及其薄膜沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222923234U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421958075.6，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型一种应用于化学气相沉积的混气装置及其薄膜沉积设备是由潘良;刘婧婧;戚艳丽;宁建平设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于化学气相沉积的混气装置及其薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种应用于化学气相沉积的混气装置，其包括具有出气面的混气本体，所述混气本体上设有至少一组混气气路以及清洁气路；所述混气气路包括：主进气气路，连通于所述主进气气路的出口的至少两个分气气路，所述分气气路的出口延伸至所述出气面，所述清洁气路的出口也延伸至所述出气面；所述分气气路上还设有逆止结构。本实用新型的应用于化学气相沉积的混气装置其延长了混气气路的长度，以便工艺气具有更长的混合空间，使其混气更均匀，且能够避免清洁气从混气气路倒灌，污染工艺气路。本实用新型还公开了一种采用该混气装置的薄膜沉积设备，其工艺气体混合更均匀，薄膜沉积质量更高。
本实用新型一种应用于化学气相沉积的混气装置及其薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，包括具有出气面的混气本体，所述混气本体上设有至少两组混气气路以及清洁气路；所述混气气路包括：主进气气路，连通于所述主进气气路的出口的至少两个分气气路，所述分气气路的出口延伸至所述出气面，所述清洁气路的出口也延伸至所述出气面；其中，所述分气气路上还设有逆止结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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