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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种Ku频段50W载片式功率放大器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928374U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421935077.3，技术领域涉及：H03F3/20；该实用新型一种Ku频段50W载片式功率放大器是由刘立浩;徐朋豪;王斌;刘士奇设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Ku频段50W载片式功率放大器在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种Ku频段50W载片式功率放大器,属于微波毫米波技术领域，其组成包括两个GaN功放芯片、一个输入薄膜电路、一个输出薄膜电路、四个功率电阻负载、四个大芯片电容、十六个小芯片电容、一个载片等。GaN功放芯片的饱和输出功率为45.5dBm即35W；输入薄膜电路是由改进型Gysel功率分配器和供电微带组成；输出薄膜电路是由改进型Gysel功率合成器和供电微带组成；功率电阻负载可承受功率为20W的连续波信号；大芯片电容为1000pF，小芯片电容为100pF；以上元器件均共晶焊接于载片上，通过金带或金丝进行互连。本实用新型具有体积小、重量轻、散热好、结构简单的特点，解决了现有Ku频段50W功放模块体积大、重量重的问题。

本实用新型一种Ku频段50W载片式功率放大器在权利要求书中公布了：1.一种Ku频段50W载片式功率放大器，其特征在于，包括两个GaN功放芯片1、一个输入薄膜电路2、一个输出薄膜电路3、四个功率电阻负载4、四个芯片电容I5、十六个芯片电容II6和一个载片7；所述GaN功放芯片、微带功率分配器、微带功率合成器、功率电阻负载、芯片电容I和芯片电容II均共晶焊接于载片上，通过金带或金丝进行互连；其中，所述输入薄膜电路的主体为Gysel功率分配器，所述输出薄膜电路的主体为Gysel功率合成器；所述Gysel功率分配器和Gysel功率合成器均为五端口器件，包含一个输入端口、两个输出端口和两个隔离端口；所述载片表面分为左、中和右3个区；其中，中间区布设有凸台，且沿凸台的延伸方向设有贯通左侧区和右侧区的3个凹槽；在凸台上，相邻两个凹槽之间的位置用于两个GaN功放芯片的定位和共晶焊接，凹槽位置用于设置对应数量的芯片电容II；左侧区和右侧区用于输入薄膜电路和输出薄膜电路的定位和共晶焊接；所述芯片电容I位于左侧区和右侧区中，且分设于两个端部凹槽的两侧；每一GaN功放芯片周侧的两个芯片电容I、8个芯片电容II、微带线通过金丝或金带连接，用于为两个GaN功放芯片的栅极提供负电压，漏极提供正电压；所述Gysel功率分配器和Gysel功率合成器，两者的端口2和端口3均通过金丝与对应的GaN功放芯片连接，隔离端口连接功率电阻负载。

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